mos管是金属材料（metal）—金属氧化物（oxide）—半导体材料（semiconductor）场效晶体三极管，或是称是金属材料—导体和绝缘体（insulator）—半导体材料。MOS管的source和drain是能够 互换的，她们基本都是在P型backgate中产生的N型区。在大多数状况下，这一2个区是一样的，即便 两边互换也不会危害元件的特性。那样的元件被觉得是对称性的。

　　mos管界定

　　双极型晶体三极管把键入端电流量的细微转变 变大后，在輸出端輸出一个大的工作电流转变 。双极型晶体三极管的增益值就定位为輸出键入电流量之比（beta）。另一种晶体三极管，称为场效管（FET），把键入电流的变动转换为輸出电流量的转变。FET的增益值相当于它的transconductance， 界定为輸出电流量的变动和键入电流电压转变 之比。目前市面上常见的一般为N断面和P断面，详细信息参照右边照片（N断面耗光型MOS管）。而P断面普遍的为低电压mos管。

　　N断面mos管标记

　　场效管根据投射一个静电场在一个电缆护套上去危害穿过晶体三极管的电流量。实际上沒有电流量穿过这一导体和绝缘体，因此 FET管的GATE电流量特别小。最一般的FET用一层析二氧化硅来做为GATE极下的导体和绝缘体。这类晶体三极管称之为氢氧化物半导体材料（MOS）晶体三极管，或，氢氧化物半导体材料场效管（MOSFET）。由于MOS管更小更节电，因此 许多人早已在许多使用场所替代了双极型晶体三极管。

　　P断面mos管标记

　　MOS管被穿透的缘故及解决方法以下：

　　第一、MOS管自身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又十分小，因此 非常容易受外部磁场或静电能的检测而通电，而小量正电荷就可在极间电容上产生非常高的工作电压（U=Q/C），将管道毁坏。尽管ＭＯＳ键入端有防静电的保障措施，但仍需当心看待，在储存和输送中最好用不锈钢容器或是导电性原材料包裝，不必放到易发生静电感应髙压的化工原料或化学纤维面料中。拼装、调节时，专用工具、仪表盘、操作台等均应优良接地装置。要避免 使用工作人员的静电干扰导致的毁坏，如不适合穿涤纶、化学纤维衣服裤子，手或专用工具在触碰场效应管前较好先接一下地。对元器件导线校直弯折或人力电焊焊接时，应用的设施务必优良接地装置。

　　第二、ＭＯＳ电源电路键入端维护二极管，其通断时电流量容限一般为１ｍＡ 在有可能发生过大暂态键入电流量（超出１０ｍＡ）时，应串连键入维护电阻器。而129#在前期设计方案时沒有添加维护电阻器，因此 这也是MOS管很有可能穿透的缘故，而根据拆换一个內部有维护电阻器的MOS管应可避免 这种无效的产生。也有因为维护电源电路消化吸收的一瞬间动能比较有限，很大的一瞬间数据信号和过高的静电电压将使维护电源电路丧失功效。因此 点焊时电铬铁务必安全可靠接地装置，防止走电穿透元器件键入端，一般应用时，可停电后运用电铬铁的废热开展电焊焊接，并先焊其接地装置引脚。

　　静电感应的主要物理学特点为：有吸引住或反感的能量；有静电场存有，与地面有电势差；会造成充放电电流量。这三种情况会对电子元器件导致下列危害：

　　1.元器件吸咐尘土，更改路线间的特性阻抗，危害元器件的基本功能和使用寿命。

　　2.因静电场或电流量毁坏元器件电缆护套和电导体，使元器件不可以工作中（彻底毁坏）。

　　3.因刹那间的静电场软穿透或电流量造成超温，使元器件负伤，尽管仍能工作中，可是使用寿命损伤。

　　以上这三种状况中，假如元器件彻底毁坏，定能在生产制造及质量检测中被发觉而清除，危害较少。假如元器件轻度损伤，在一切正常检测中不容易被发觉，在这个情况下，经常因历经反复生产加工，乃至已在运用时，才被发觉毁坏，不仅查验不容易，并且损害亦难以预料。静电感应对电子元器件造成的伤害不逊于比较严重火灾事故和发生爆炸的损害

　　电子元器件及设备在什么情况会遭到静电感应毁坏呢？能够 这样说：电子设备从生产制造到应用的过程都遭到静电感应损坏的威协。从元器件生产制造到软件装焊、整机装联、包裝运送直到商品运用，都是在静电感应的影响下。在全部电子设备生产过程中，每一个环节中的每一个小流程，静电感应光敏电阻器都有可能遭到静电感应的危害或受到损坏，而事实上最关键而又非常容易疏漏的一点则是在元器件的传输与输送的全过程。在这个环节中，运送因挪动非常容易裸露在外部静电场（如历经髙压机器设备周边、职工挪动经常、车子快速挪动等）造成静电感应而受到损坏，因此 传输与运送环节必须 需注意，以减少损失，防止不在乎的纠纷案件。

上一篇：如何区分三极管PNP与NPN

下一篇：集成电路中缓冲器的作用