二种二极管全是单边导电性，可 用以整流器场所。差别是一般硅二极管的抗压能够 做得较高，可是它的修复速率低，只有用在低頻的整流器上，如果是高频率的便会由于没法迅速修复而产生反方向走电，最 后造成管道比较严重发烫损坏;肖特基二极管的耐压性能常较低，可是它的修复速度更快，可以用在高频率场所，故开关电源电路选用此类二极管做为整流器輸出用，即便如此，电源开关 开关电源上的稳压管溫度或是很高的。

快修复二极管就是指反向恢复時间很短的二极管（5us下列），加工工艺上多选用掺金对策，构造上面有选用PN结 型构造，有的使用改善的PIN构造。其正方向损耗高过一般二极管（1-2V），反方向抗压多在1200V下列。从功能上可划分为快修复和极快修复2个级别。

前面一种 反向恢复時间为百余纳秒或更长，后面一种则在100纳秒下列。 肖特基二极管是以金属材料和半导体材料触碰产生的能隙为基本的二极管，通称肖特基二极管（Schottky Barrier Diode），具备正方向压减少（0.4--0.5V）、反向恢复時间很短（10-40纳秒），并且反方向泄露电流很大，抗压低，一般小于150V，多用以低电 压场所。 这二种管道一般用以开关电源电路。

肖特基二极管和快修复二极管差别：

肖特基二极管与一般二极管全是单边导电性，可用以逆变电路中。

肖特基二极管与一般二极管的差异主要是一般二极管的抗压能够 做得较高，可是它的修复速率低，只有用在低頻的整流器上，如果是高频率的便会由于没法迅速修复而产生反方向走电，最终造成 管道比较严重发烫损坏；

肖特基二极管的耐压性能常较低，可是它的修复速度更快，可以用在高频率场所，故开关电源电路选用此类二极管做为整流器輸出用，即便如此，开关电源电路上的稳压管溫度或是很高的。

前面一种的修复的时间比后面一种小一百倍上下，前面一种的反向恢复時间大概为几纳秒~！ 前面一种的优势也有功耗低，大电流量，快速~！电气设备特点自然全是二极管阿~！快修复二极管在制作技术上选用掺金，单纯性的传播等加工工艺，可得到 较高的按钮速率，同 时也可以获得较高的抗压。现阶段快修复二极管关键使用在变频电源中做整流器元器件。

一般二极管光电流特点和肖特基二极管电流电压特点

一般二极管的光电流特点如下图：

1、一般二极管在电流量穿过时，会造成约0.7-1.7安培的电流，但是肖特基二极管的电流仅有0.15-0.45安培，因而能够 提高体系的高效率。

2、肖特基二极管是使用金属材料-半导体材料接面做为肖特基势垒，以造成整流器的实际效果，和一般二极管中由半导体材料-半导体材料接面造成的P-N接面不一样。

3、肖特基势垒的特点促使肖特基二极管的通断电流较低，并且还可以提升转换的速率。

4、二极管由穿过正方向工作电流的通断情况，转换到不通断情况所需要的時间。一般二极管的反向恢复時间大概是百余nS，若是快速二极管则会小于一百nS，肖特基二极管沒有反向恢复時间，因而小数据信号的肖特基二极管转换時间约为数十pS，独特的大空间肖特基二极管转换的时间也才数十pS。因为一般二极管在反向恢复時间里会因反方向电流量而导致EMI噪音。肖特基二极管能够 马上转换，沒有反向恢复時间及反相电压的难题。

肖特基二极管是以其发明者肖特基博士研究生（Schottky）取名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的通称。SBD并不是运用P型半导体与N型半导体触碰产生PN结基本原理制造的，只是运用金属材料与半导体材料触碰产生的金属材料－半导体材料结基本原理制造的。因而，SBD也称之为金属材料－半导体材料（触碰）二极管或外表能隙二极管，它是一种热自由电子二极管。

下边为肖特基二极管：

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