肖特基二极管的内部构造

肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（通称SBD），是由金属材料与半导体材料触碰产生的能隙层为根本做成的二极管如图所示 1所显示，其主要特点是正指导通损耗小（约0.45V），反向恢复时间较短和开关损耗小，是一种功耗低、快速半导体元器件。肖特基二极管在构造机理上与PN结二极管有较大差别，它的内部结构是由阳极氧化金属材料（用钼或铝等材质制作而成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）静电场清除原材料、N-外延性层（砷原材料）、N型硅硅片、N 负极层及负极金属材料等组成，如图所示1所显示。在N型硅片和阳极氧化金属材料中间产生肖特基势垒。当在肖特基势垒两边再加上正方向偏压（阳极氧化金属材料插线正级，N型硅片插线负级）时，肖特基势垒层变小，其阻值缩小;相反，若在肖特基势垒两边再加上反方向偏压时，肖特基势垒层则变大，其内电阻增大。

肖特基二极管存在的不足是抗压相对比较低，反方向泄漏电流较为大。现阶段运用在输出功率转换电源电路中的肖特基二极管的大致水准是抗压在150V下列，均值电流量在100A下列，反向恢复時间在10～40ns。肖特基二极管运用在高频率低电压电源电路中，是非常满意的。

肖特基二极管构造和内电路

1．肖特基二极管构造?

图13-3是肖特基二极管內部结构示意图。肖特基二极管具备更低的串联电阻和更强的离散系统，合适于在射频电路中运用。

一些金属材料和N型半导体原材料触碰后，电子器件会从N型半导体原材料中蔓延进到金属材料进而在半导体器件中产生一个耗尽层，具备和基本PN结相近的特牲，这类由金属材料和半导体器件触碰产生相近PN结能隙的构造称之为肖特基结。?

当在肖特基势垒两边再加上正方向偏压（阳极氧化金属材料插线正级，N型硅片插线负级）时，肖特基势垒层变小，其阻值缩小。假如在肖特基势垒两边再加上反方向偏压时，肖特基势垒层则变大，其内电阻增大，如图所示13-4所显示。

2．肖特基二极管内电路?

导线式肖特基对管又有共阳（两管的阳极相接）、共阴（两管的负级相接）和串连（一只二极管的阳极接另一只二极管的负级）3种脚位引出来方法。JRC2352图13-5是导线式肖特基对管中电源电路结构示意图。

帖片肖特基二极管有单管系统型、双管形和三管形等多种多样封装类型，且内电路实际方式高达10多种。图13-6所显示是多种多样帖片肖特基二极管内电路。

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