宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 11 月29 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股票市场编号：VSH）公布，发布选用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封裝的新元器件，扩大其TrenchFET® P断面Gen III输出功率MOSFET。今日发布的Vishay Siliconix MOSFET可提升携带式测算和工业生产控制系统中的电源效率，是-4.5V和-2.5V栅压推动下具备业界最少通断电阻器的-12V和-20V元器件，团块总面积为3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。

　　Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN适用智能机、平板、笔记本、智能传感器和POL控制模块里的电池管理等各种各样使用中的负荷、充电电池和监管电源开关。元器件的低导通电阻器使设计师可以在其电源电路里完成更低的电流，更有效地应用电磁能，增加蓄电池使用期限。

　　在节约PCB室内空间是关键要素的使用里，-12V Si5411EDU不仅具备8.2mΩ（-4.5V）和11.7mΩ（-2.5V）低通断电阻器，并且3.0mm x 1.9mm PowerPAK ChipFET封裝具备显著优点。当必须 更好的额定电压时，-20 V Si5415AEDU可满足需求，具备9.6mΩ（-4.5V）和13.2mΩ（-2.5V）的低导通电阻器。2款元器件的典型性ESD维护为5000V。针对必须 极低通断电阻器的运用，SiSS23DN的4.5mΩ（-4.5V）和6.3mΩ（-2.5V）通断电阻器可满足需求，3.3mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封裝的极度低至0.75mm。

　　Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN开展了100%的Rg和UIS检测。这种MOSFET合乎JEDEC JS709A的邻苯二甲酸盐要求，合乎RoHS命令2011/65/EU。

　　Vishay的P断面Gen III系列产品包含60尾款元器件，团块总面积从5mm x 6mm到0.8mm x 0.8mm。相关MOSFET的其他信息，请浏览http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。

　　最新款P断面MOSFET现可供应试品，并已达到批量生产，大宗商品订购的交货期为十三周。

　　VISHAY介绍

　　Vishay Intertechnology， Inc. 是在纽交所发售（VSH）的“財富1000 强公司”，是全世界公司分立半导体材料（二极管、MOSFET和红外线半导体材料）和微波感应器电子元器件（电阻、电感、电力电容器）的较大生产商之一。这种电子器件可用以工业生产、测算、车辆、消費、电信网、国防、航天航空、开关电源及诊疗销售市场中基本上任何类别的电子产品和武器装备。凭着创新产品、取得成功的回收发展战略，及其“一站式”服务项目使Vishay变成 了全世界业内引领者。相关Vishay的详细资料，烦请访问网址 www.vishay.com。

　　TrenchFET®、PowerPAK®和ChipFET®是Siliconix企业的商标注册。

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