单结晶体三极管的构造、标记和闭合电路

可控硅的开启电源电路有很多，在其中较为常用的有人下单结晶体三极管开启电源电路。单结晶体三极管又被称为双基极二极管，有一个发射极和2个基极[2]。它是在一块高夹杂的N型硅硅片一侧的两边各引出来一个回路电阻不大的极，各自称之为第一基极B1 和第二基极B2。而在单晶硅片的另一侧挨近B2处，掺加P型残渣，产生PN 结，引出来电级，称之为发射极。由于N 型硅硅片的残渣少，因此 两基极中间的电阻器（体电阻器）较高。特别注意的是RB1 的电阻会随发射极电流量Ie 的变动而更改，具备可调电阻的特点。发射极与2个基极中间的PN 结用一个等效电路二极管D 表明。图3 是它的构造、标记和闭合电路。

图3 单结晶体三极管平面图

当发射极电流量为零时，另加工作电压UBB 在RB1 和RB2 中间按一定占比分压电路，A 点和B1 中间的工作电压为

在其中浊变成 单结晶体三极管的分压电路指数（又被称为分压电路比），它与管道内部构造相关，一般在0.3~0.9中间。图4是其光电流特点图。

图4 单结晶体三极管光电流特点图

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