全桥控制器UBA2030T以及运用

1序言

飞利浦公司运用“BCD750输出功率逻辑性加工工艺方式”生产制造的UBA2030T，是为推动全桥网络拓扑结构中的输出功率MOSFET而特意制定的髙压IC。UBA2030T只要用很少许的外部结构元器件，就可以构成高韧性充放电（HID）灯电子镇流器电源电路，而且为HID灯光耦电路的制定给予了解决方法。

2封裝、内部构造及管脚作用

UBA2030T选用24脚SO封裝，顶视图如图所示1所显示。

UBA2030T集成ic集成化了自举二极管、震荡器、髙压和低电压脉冲信号移相器、高档（左、右）和中低端（左、右）控制器及操纵逻辑性等电源电路，其内部构造框架图如图2所显示。

表1列举了UBA2030T的脚位作用。

2基本参数及特性

2.1基本参数

UBA2030T的技术参数及参照数据信息如表2列出。

2.2主要特点

图1SO24封裝顶视图

UBA2030T的主要特点以下：

内嵌自举二极管，作为推动全桥电源电路可使外界元器件降低到最少程度；

髙压键入直通570V，为推动內部线路和全桥

图2UBA2030T的内部构造框架图

表1脚位作用 脚号 标记 作用叙述 1 GLR 中低端右侧MOSFET的栅压控制器輸出 2 PGND 中低端左、右MOSFET的源极输出功率地 3 GLL 中低端左侧MOSFET的栅压控制器輸出 4,6,9,16,17,19 n.c. 不联接 5 RC 內部震荡器RC键入 7 BE 操纵键入也就能 8 BER 桥路参照键入也就能 10 FSL 浮置电源电压左侧輸出 11 GHL 高档左侧MOSFET栅压控制器輸出 12 SHL 高档左侧MOSFET源极 13 SHR 高档右侧MOSFET源极 14 GHR 高档右侧MOSFET栅压控制器輸出 15 FSR 浮置电源电压右侧輸出 18 HV 直流高压电源键入 20 EXO 外界震荡器键入 21 SD 关掉键入 22 DTC 过流保护時间操纵键入 23 VDD 內部（低电压）开关电源 24 SGND 数据信号地

表2基本参数及参照数据信息 标记 主要参数 标准 极小值 典型值 最高值 企业 髙压 VHV 直流高压电源（工作电压） 　 0 － 570 V 运行（经脚HV增加） Istrtu 运行电流量 　 － 0.7 1.0 mA Vth(osc,strt) 运行震荡幅值工作电压 在fbridge=500Hz下，无载 14.0 15.5 17.0 V Vth(osc,strt) 终止震荡幅值工作电压 在fbridge=500Hz下，无载 11.5 13.0 14.5 V 輸出控制器 Io(source) 輸出源电流量 VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=0V 140 190 240 mA Io(sink) 輸出灌电流量 VDD=VFSL=VFSR=15VVGHR=VGHL=VGLR=VGLL=15V 200 260 320 mA 內部震荡器 fbridge 桥路震荡器頻率 EXQ脚联接到SGND 50 － 50000 Hz 外界震荡器 fosc(ext) 外界震荡器頻率 RC脚联接到SGNDfbridge=fosc(ext)/2 100 － 100000 Hz 过流保护時间 tdead 过流保护時间操纵范畴（外界可调式） 　 0.4 － 4 μs 桥路也就能 IIH 上拉电阻键入电流量 也就能激话 100 － 700 μA IIL 低电频键入电流量 也就能阻塞 0 － 20 μA 关掉 VIH 上拉电阻键入工作电压 关掉激话：1ΔVSD/Δt1>5V/ms 4.5 － VDD? V VIL 低电频键入工作电压 关掉堵塞：1ΔVSD/Δt1>5V/ms 0 － 0.5 V II（SD） 键入电流量 　 0 － 50 μA ?VDD范畴：0V～18V

中的MOSFET，IC给予自身造成的低电源电压；

运用在DTC脚和SGND脚中间衔接的电阻RDT来设置过流保护時间tdead,而且RDT=270tdead－70,RDT(min)=50kΩ,RDT(max)=1MΩ(RDT的公司为kΩ时，tdead的公司为μs)；

震荡器頻率可调式,当应用內部震荡器时，桥路（bridge）頻率可运用外界电阻ROSC和电力电容器COSC设置：fbridge=1/(2×8×ROSC×COSC),并规定ROSC=200kΩ～2MΩ；

内嵌PMOS髙压移相器，以操纵桥路也就能作用；

具备关掉作用，只需在SD脚底的键入做到4.5V，全桥中的4只MOSFET则被关闭。

3运用详细介绍

UBA2030T典型性运用首要是在高电压的（HPS）灯和金属材料卤灯这种HID灯电子镇流器电源电路中做为全桥控制器。

3.1基本上运用电源电路

用UBA2030T作控制器和HID灯为负荷的全桥基本上网络拓扑结构如图所示3所显示。在这个运用线路中，

图3UBA2030T作控制器、HID灯为负荷的全桥基本上电源电路

图4带外界控制回路的HID灯全桥网络拓扑结构

图5控制回路以桥路高档作参照的HID灯控制器电源电路

图6用低电压DC电源为內部电源电路

给予电流量的HID灯全桥控制器电源电路

BER脚、BE脚、EXO脚和SD脚都接系统化，沒有应用桥路也就能和关掉作用。当应用內部震荡器时，桥路换相頻率由ROSC和COSC的选值决策。当HV增加工作电压超出震荡开启幅值（典型值是15.5V）时，震荡器逐渐震荡。假如在HV脚底的电流至震荡器终止幅值（典型值是13V）工作电压，IC将再次进到运行情况。

一旦IC逐渐正常的工作中，在输出功率电源开关HL（Q1）和LR（Q4）通断时，HR（Q3）和LL（Q2）则截至；当HR（Q3）和LL（Q2）通断时，HL（Q1）和LR（Q4）则截至。UBA2030T给予的换相逻辑性，确保了在HID灯里能造成电流的磁场。

　　HID灯的运行必须增加一个3kV～10kV的高压脉冲。由带负阻特点的开启元器件、电力电容器和变压电磁线圈等构成的整流器电源电路，在接通电源以后能造成充足使HID灯穿透的高电压，使灯点燃。为避免 HID灯发生“声共振”状况，造成 电孤不稳，烧毁led灯管，针对HID灯光耦电路,通常还需要采用“声共振”抑止对策。

3.2带外界震荡器操纵的使用电源电路

图4示出的是带外界震荡器控制回路的HID灯全桥网络拓扑结构。在该运用线路中，UBA2030T的RC脚、BER脚和BE脚联接系统化，桥路换相頻率由外界震荡器决策，关掉键入脚（SD脚）能够作为关闭全桥电源电路中的所有MOSFET。

3.3控制回路以桥路高档作参照的HID灯全桥控制器电源电路

UBA2030T在推动HID灯全桥系统软件中做为电机转子元器件应用。HID灯的使用期限取决于根据石英石壁的钠转移量。为使钠转移比例降至最少，HID灯以系统化为参照时，务必在负压力下工作中。图5示出的是操纵模块以桥路高档作参照的HID灯全桥控制器电源电路。在该运用线路中，BER脚和HV脚都联接到系统化。

图6所显示的以桥路高档做为参考资料的又一种HID灯全桥光耦电路。BER脚联接系统化，根据HV脚注入IC內部低电压电源电路的交流电能够由低电压DC电源（如充电电池）给予，如图所示6中斜线所显示。RDT的数据在50kΩ与1000kΩ中间。当RDT=220KΩ时，过流保护時间tdead是1μs.

在其他运用中，在IC脚HV上的电流不可以小于在VDD脚底的工作电压。不然，无论是在运行情况或是进到正常的工作中期内，全桥都不容易恰当工作中。在起动环节，IC的EXO脚和SD脚都应处在低电频。在EXO脚和SD脚的工作电压为时间函数时，其转变 速度应超过5V/ms。

上一篇：产生虚焊的原因及解决方法介绍

下一篇：什么是慢熔保险丝？慢熔快熔标识是什么