稳压二极管

稳压二极管，英文名字Zener diode，又叫齐纳二极管。运用pn结反方向穿透情况，其电流量可在较大区域内转变而工作电压基本上一致的状况，做成的起稳压管功效的二极管。此二极管是一种直至临界值反方向击穿电压前都有着很高电阻器的半导体元器件。在这里临界值穿透点上，反方向电阻器减少到一个不大的标值，在这个低阻区中电流量提升而工作电压则维持稳定，稳压二极管是依据击穿电压来划档的，由于这个特点，稳压极管关键被做为稳压电源或工作电压标准元器件应用。稳压二极管能够 串连起來便于在较高的电流上应用，根据串连就可得到 更多的平稳工作电压。

稳压二极管的光电流特点曲线图的正面特点和一般二极管类似，反方向特点是在反方向工作电压小于反方向击穿电压时，反方向电阻器非常大，反方向泄露电流很小。可是，当反方向工作电压邻近反方向工作电压的临界点时，反方向电流量陡然扩大，称之为穿透，在这里一临界值穿透点上，反方向电阻器陡然降至不大值。虽然电流量在非常大的范畴内转变，而二极管两边的工作电压却大部分平稳在击穿电压周边，进而达到了二极管的降压作用。

肖特基二极管

肖特基二极管是以其发明者肖特基博士研究生（Schottky）取名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的通称。SBD并不是运用P型半导体与N型半导体触碰产生PN结基本原理制造的，只是运用金属材料与半导体材料触碰产生的金属材料－半导体材料结基本原理制造的。因而，SBD也称之为金属材料－半导体材料（触碰）二极管或外表能隙二极管，它是一种热自由电子二极管。

肖特基二极管是贵重金属（金、银、铝、铂等）A为正级，以N型半导体B为负级，运用二者表面上建立的能隙具备整流器特点而制作的金属材料-半导体元器件。由于N型半导体中普遍存在着很多的电子器件，贵重金属中仅有少量的自由电荷，因此 电子器件便从含量高的B中往浓度值低的A中蔓延。显而易见，金属材料A中沒有空穴，也就不会有空穴自A向B的蔓延健身运动。伴随着电子器件不断地从B蔓延到A，B表层电子器件浓度值逐步减少，表层电荷平衡被毁坏，因此就产生能隙，其电场方向为B→A。但在该静电场功效下，A中的电子器件也会发生从A→B的甩尾健身运动，进而削弱了因为蔓延健身运动而产生的静电场。当确立起一定总宽的空间电荷区后，静电场导致的电子器件飘移健身运动和含量差异造成的电子器件蔓延健身运动做到相应的均衡，便产生了肖特基势垒。

肖特基二极管和稳压二极管的差别

肖特基二极管并不是运用P型半导体与N型半导体触碰产生PN结基本原理制造的，只是运用金属材料与半导体材料触碰产生的金属材料－半导体材料结基本原理制造的。因而，SBD也称之为金属材料－半导体材料（触碰）二极管或外表能隙二极管，它是一种热自由电子二极管。

因为肖特基势垒高宽比小于PN结势垒高度，所以正指导通幅值电流和正方向损耗都比PN结二极管低（约低0.2V）。

肖特基二极管是一种大部分自由电子导电性元器件，不会有少部分自由电子使用寿命和反向恢复难题。

稳压二极管，英文名字Zener diode，又叫齐纳二极管。运用pn结反方向穿透情况，其电流量可在较大区域内转变而工作电压基本上一致的状况，做成的起稳压管功效的二极管。［1］ 此二极管是一种直至临界值反方向击穿电压前都有着很高电阻器的半导体元器件。在这里临界值穿透点上，反方向电阻器减少到一个不大的标值，在这个低阻区中电流量提升而工作电压则维持稳定，稳压二极管是依据击穿电压来划档的，由于这个特点，稳压极管关键被做为稳压电源或工作电压标准元器件应用。稳压二极管能够 串连起來便于在较高的电流上应用，根据串连就可得到 更多的平稳工作电压。

稳压二极管与肖特基二极管的区分取决于：

肖特基二极管正指导通工作电压很低，仅有0.4v，反方向在击穿电压以前不容易通断，具有快速响应电源开关的功效。而稳压二极管正指导通工作电压跟一般二级管一样约为0.7v，反方向情况下到临界值工作电压以前截至，在超过临界值工作电压的前提下能处在通断的情况，工作电压也不会再上升，因此 用在关键电子器件上，具有稳压管功效。

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