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　　总体来说，场效晶体三极管可区别为耗光型和加强型二种。耗光型场效晶体三极管(D-FET)便是在0栅偏压时存有断面、可以导热的FET;加强型场效晶体三极管(E-FET)便是在0栅偏压时不会有断面、不能够导电性的FET。

　　这2种类别的FET都各有其优点和主要用途。一般，加强型FET在快速、功耗低电源电路中很有实用价值;而且这类元器件在作业时，它的栅偏工作电压的旋光性与漏极工作电压的同样，则在控制电路中比较便捷。

　　(1)MOSFET：

　　针对Si半导体元器件，因为Si/SiO2页面上正电荷(大多数是正电——Na 脏污而致)的危害，促使n型半导体表层很容易造成累积层，而p型半导体表层非常容易反型(即发生表层反型层)，因此非常非常容易生产制造出p断面的加强型MOSFET(E-MOSFET)，而较无法制做出n断面的E-MOSFET。正是因为这般，故在初期技术水平标准下，经常制做的是p断面的E-MOSFET。

　　自然，伴随着加工工艺技术实力的提升 ，如今现已可以有效地操纵半导体材料的表层态及其表层正电荷，进而就可以便捷地制造出n断面、或是p断面的D-MOSFET或是E-MOSFET，以满足多种使用的必须 。

　　MOSFET的导电性是借助表层断面来开展的，而在0栅偏压下能不能造成断面，则与半导体材料衬底的参杂浓度值立即相关。若选用较低夹杂浓度值的衬底，就可以得到D-MOSFET;选用较高夹杂浓度值的衬底，就可以得到E-MOSFET。

　　(2)JFET：

　　针对结型场效晶体三极管(JFET)，最常用到的是耗光型JFET(D-JFET);一般，不应用加强型JFET(E-JFET)。这主要是因为长断面E-JFET在运用时较无法造成出导电性的断面、进而通断特性不行的原因。但是，因为快速、功耗低电源电路中运用的必须 ，有时候也必须选用E-JFET。

　　JFET导电性的断面在身体。这二种晶体三极管在技术和构造上的差异关键取决于其断面区的参杂浓度值和薄厚。D-JFET的断面的参杂浓度值较高、薄厚很大，以至于栅pn结的内建工作电压不可以把断面彻底耗光;而E-JFET的断面的参杂浓度值较低、薄厚较小，则栅pn结的内建工作电压就可以把断面彻底耗光。

　　可是，针对短断面E-JFET，状况则各有不同，由于这类晶体三极管的漏极工作电压能够 功效到源极周边，促使断面中的能隙减少，因此可以产生导电性断面。这类E-JFET从其本质上来讲也就是尖端放电晶体三极管。

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