led节能灯和电子整流器三极管参数的挑选手册

以往，大家对用以led节能灯、电子镇流器三极管参数的规定精准定位不是明确的。除开BVceo、BVcbo、Iceo、hFE、Vces、Ic等基本主要参数规定以外，低頻管仅有特征频率的规定(一般在几兆量级)。可是，特征频率是对正弦波形线形变大的规定，与电源开关运行状态下三极管电源开关主要参数并不是一个定义。此外，因为认识水平和中国硬件配置标准的限定，防碍了大家对灯用三极管的主要参数实现合理的调节和辨别。文中尝试将led节能灯和电子镇流器用三极管的挑选做一些汇总，便于完全掌握运用全过程中三极管的毁坏体制。

详细的输出功率容限曲线图

减少三极管的发烫耗损

变大倍率hFE和存储時间ts

详细的输出功率容限曲线图

输出功率容限(SOA)是一个曲线图包围着的地区(图1)，当加在三极管上的工作电压、电流量平面坐标超出曲线图范畴时，三极管将产生输出功率穿透而毁坏。在具体运用中，一些开关电源电路路线负荷为理性，三极管关拆断，电感器负荷造成的电磁感应电势差反峰工作电压加在三极管的CE极中间，三极管务必有充足的SOA、BVceo和BVcbo值才可以承担那样的反压。

务必留意：现阶段一般三极管应用生产厂家不具有检测SOA的标准，即便 是有标准的半导体材料三极管生产商，具有检测该指数的工作能力，可是仪器测试出的通常仅仅安全工作区单连通区域上的标值，而不是SOA曲线图的所有。那样也有也许发生：在一点上SOA值彻底一样的俩对三极管，具体路线上应用全过程中，一对三极管毁坏了，而此外一对却沒有毁坏。

因而，在挑选灯用三极管的环节中，一定要寻找元器件生产商供应的详细SOA曲线图。

减少三极管的发烫耗损

现阶段，led节能灯、电子镇流器广泛选用左右管轮着通断工作中的路线，电感器负荷造成的电磁感应电势差反峰工作电压经过导通管泄流，因此广泛觉得三极管常温状态SOA值在led节能灯、电子镇流器路线中不十分比较敏感。而减少三极管的发烫耗损却造成了行业内的广泛关心，这是由于三极管的二次穿透容限是由于气温的上升而减少的(图2)。

三极管在线路中工作中一段时间之后，路线电子器件会发烫(包含管道自身的发烫)，溫度持续升高造成 三极管hFE扩大，电源开关特性下降，二次穿透特点降低。相反，进一步促进管道热值扩大，那样的恶循环最后造成 三极管穿透损坏。因而，减少三极管自身的发烫耗损是提升三极管应用稳定性的关键对策。

试验说明：晶体三极管截至情况的功率不大；通断情况的损耗占一定占比，但转变 空间并不大。晶体三极管损耗关键产生在由饱和状态向截至和由截至向饱和状态的一化三改，并且与路线主要参数的选用及三极管的增益值tr、上升幅度tf有挺大关联。

最近几年，业内发布的LED灯和电子镇流器专用型三极管都充足注意到减少商品的开关损耗，比如，国内BUL6800产品系列在提升MJE13000产品系列的根基上，大幅度提高了企业产品的开关损耗特性。

除此之外，操纵磁芯主要参数也有助于操纵耗损。由于磁芯主要参数的变动会造成三极管Ib的转变，危害三极管升高和上升幅度。三极管过推动能够导致三极管比较严重发烫损坏，而三极管推动不够，则将会导致三极管热态运作时瞬间穿透毁坏。

变大倍率hFE和存储時间ts

三极管的hFE主要参数与储存時间ts有关，一般hFE大的三极管ts也很大，以往我们对ts的了解及其ts的检测仪器均比较缺乏，大家更依靠hFE主要参数来挑选三极管。

在按钮情况下，hFE的选用一般有下列了解：第一、hFE应尽量避免高，便于用最小的基极电流量获得最高的工作中电流量，与此同时得出尽量低的饱和状态工作电压，那样就可以与此同时在导出和光耦电路中减少耗损。可是，假如充分考虑电源开关速率和电流量容限，则hFE的最高值就受限制；第二、我国的生产厂家以前趋向于采用hFE较小的元器件，比如hFE为10到15，乃至8到10的三极管就一度很受大家喜爱(之后，因为基极控制回路时兴选用电容器开启路线，hFE的标值有一定的升高)，hFE的标值小则饱和状态深层小，进而有益于减少晶体三极管的发烫。

事实上，晶体三极管的饱和状态深层遭受Ib、hFE2个要素的危害，因此根据磁芯及绕阻主要参数、基极电阻器 Rb的调节，还可以减少饱和状态深层。

现阶段，业内发布的LED灯和电子镇流器专用型三极管都十分重视对存储時间的操纵。由于存储時间ts太长，电源电路的振动頻率将降低，整机的工作中电流量扩大易造成 三极管的毁坏。尽管能够调节扼流线圈电感器以及他电子器件主要参数来操纵整机输出功率，但ts的离散性，将使设备的一致性差，稳定性降低。比如，在石英石灯电子变压器路线中，存储時间很大的晶体三极管很有可能造成电源电路在小于輸出变电器工作中極限的頻率震荡，进而导致每一个周期时间的尾端磁心饱和状态，这促使晶体三极管Ic在每一周期时间发生顶峰，最终造成 元器件超温毁坏(图3)。

假如同一路线上的2个三极管存储時间相差太多，整机工作中电流量的左右半波将比较严重不一样，负担过重的那只三极管将非常容易毁坏，路线也将形成大量的谐波电流和干扰信号。

具体应用说明，严控存储時间ts并适当调节整机电源电路，就可以减少对hFE主要参数的依靠水平。还值得一提的是，在集成ic总面积一定的情形下，三极管特点、电流量特点与抗压主要参数是分歧的，我国市场以前用BUT11A来做220V40W电子镇流器，其起点是BVceo、BVcbo标值高，可是现在绝大多数电子镇流器路线中，早已沒有必需过高挑选三极管的工作电压主要参数。

图3：2个不一样存储時间的三极管用以同一路线的Ic波形。

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