单边可控硅的特点以及主要参数

单边可控硅的光电流特点曲线图如图所示17-3 所显示。从特点曲线图上能够看到它分五个区，即反方向穿透区、反方向阻隔区、正方向阻隔区、负阻区和正指导通区。大部分状况下，可控硅的使用电源电路均工作中在正方向阻隔和正指导通2个地区。可控硅A 、K 极间所施加的方向工作电压不可以超过反方向最高值工作电压，不然有可能使其损坏。

单边可控硅的所述特点，可以用下列好多个基本参数来表现。
①额定值均值电流量IT: 在要求的标准下，可控硅容许利用的50Hz 正弦波形电流量的均值。
②正方向转折点工作电压VBO : 就是指在额定值结温及操纵极引路的标准下，在阳极氧化和负极间多方面正弦函数技半波正方向工作电压，使其由关闭情况产生正方向转折点变成通断情况时需相应的电流最高值。
③正方向阻隔最高值工作电压VDRM: 界定为正方向转折点工作电压减掉100V后的电流值。
④反方向击穿电压VBR : 就是指在额定值结温下，阳极氧化和负极间多方面正弦波形反方向工作电压，反方向泄露电流大幅度上升所相对应的电流最高值。
⑤反方向最高值工作电压VRRM:界定为反方向击穿电压减掉100V后的电流值。
⑥正方向均值损耗VT : 就是指在要求的标准下，当根据的工作电流为其额定电压时，可控硅阳极氧化、负极间电流的均值。
⑦保持电流量IH: 就是指保持可控硅通断的最少电流量。
⑧操纵极开启工作电压VGT和开启电流量lGT: 在要求的标准下，加在操纵极上的能够便可控硅通断的所必要的最少工作电压和电流量。
⑨通断時间tgt(ton): 从在可控硅的操纵极再加上开启工作电压VGT 逐渐到可控硅通断，其通断电流量做到90% 时的这一段时间称之为通断時间-
⑩关闭時间tg ( toff) :从断开可控硅的正面电流量逐渐到调节极修复控制力的这一段时间称之为关闭時间。

除此之外，可控硅也有一些别的主要参数.比如，为了更好地使可控硅能稳定地开启通断，对加进操纵极上的开启脉冲宽度是有一定需要的;为使可控硅能稳定地关闭，对IGBT的输出功率也是有一定的要求;为防止可控硅毁坏，对操纵极的反方向工作电压也是有一定的规定。

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