单边可控硅的主要构造及原理

可控硅有很多类型，下边以常见的一般可控硅为例子，详细介绍其基本上构造及原理。

单边可控硅内有三个PN 结，他们是由互相相叠的4 层P区和N区所组成的.如图所示17-1(a) 所显示。可控硅的三个电级是以P1引出来阳极氧化A，从N2引出来阳极氧化K ，从P2引出来操纵极G ，因而可以说它是一个四层三端半导体元器件。

为了更好地有利于表明.能够把图17-1 (a) 所显示可控硅当做是由两部份组合而成的[见图17-1(b)]，那样能够把可控硅等效电路为二只三极管构成的一对相辅相成管.左下方一部分为NPN型管，在上一部分为PNP 型管[见图17-1 (c)]。

当接好开关电源Ea后， VT1及VT2都处在变大情况，若在G 、K 极间添加一个正开启数据信号，就等于在VT1基极与发射极控制回路中有一个操纵电流量IC， 它便是VT1的基极电流量IB1。经变大后， VT1造成集电结电流量ICI。 此电流量排出VT2 的基极，变成 VT2 的基极电流量IB2。因此，
VT2 造成了集电结电流量IC2。IC2再注入VT1 的基极，再度获得变大。那样先后循环系统下来，一瞬间便可使VT1和VT2所有通断并到达饱和状态。因此 ，当可控硅再加上正工作电压后，一键入开启数据信号，它便会马上通断。可控硅一经通断后，因为造成 VT1基极上一直穿过比操纵极电流量IG大很多的电流量，因此 即便 开启数据信号消退后，可控硅依然能维持通断情况。仅有减少电源电压Ea，使VT1、VT2 集电结电流量低于某一保持通断的极小值，可控硅才可以变为关闭情况。

假如把开关电源Ea接反， VT1 和VT2 也不具有变大工作中标准，即便 有开启数据信号，可控硅也没法工作中而处在关闭情况。一样，在沒有键入开启数据信号或开启数据信号极性相反时，即便 可控硅再加上正方向工作电压.它也没法通断。以上的几类情形可参照图17-2 。

总得来说，单边可控硅具备可控性电源开关的特点，可是这个操纵功效是开启操纵，它与一般半导体材料三极管组成的电路的调节功效是不一样的。

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