续流二极管技术参数

2022-02-17 00:40分类：电子元器件阅读：

　　二极管关键做为完成控制电路中各种各样不一样电男性性功能的元器件。因而，二极管的选用要关心下列特点：抗压，温度范围，元器件封装类型与规格；泄露电流、ESR、散逸因素、特性阻抗/频率特点；二极管的使用寿命；具体必须、特性和成本费等综合性考虑。

　　续流二极管的关键性能参数

　　IGBT內部的体二极管并不是内寄生的，只是为了更好地维护IGBT敏感的方向抗压耐而尤其设定的，又称之为FWD（续流二极管）。但是，FWD还可以在IGBT外界串联，称之为內部FWD好像更加适合。

　　体二极管的电气设备主要参数大部分是与IGBT自身非常的。IGBT的有关主要参数并不包括体二极管，在开展设计方案估算时需要另外考虑到体二极管；并且，在突发状况下将IGBT的栅压与发射极接线，还可以做为快修复二极管或是极快修复二极管应用，成本费上的差异也并不大。

　　1． VF、IF

　　·VF：Internal diode forward On-Voltage，体二极管正方向损耗。

　　·IF：Internal diode RMS forward current，体二极管正方向均值电流量。

　　VF、IF与TC立即成正比，而VF与IF立即成正比，技术性指南中一般得出的是最高值。不一样Tc 标准的数据可以用@分隔，缩写标准下能够用脚来标表明，如“IF@ Tc =100℃，16A”与“IF100 =16A”所表达的意思是一样的。这与较大集电结电流量Ic的代表办法是一样的。

　　VF、IF的关联大概可以用图1叙述。

　　续流二极管技术参数

　　图1 IF与VF以及与溫度的大概关联（FGA25N120ANTD中的体二极管）

　　VF、IF表现的是续流时二极管能够承担的电流量水准及其因此产生的功能损耗水准（VF&TImes; IF）。

　　2.Irr、trr、Qrr

　　· Irr：Internal diode peak reverse recovery current，体二极管反向恢复较大电流量，也创作IRM，文中采取Irr。

　　· trr：Internal diode reverse recovery TIme，二极管反向恢复時间，体二极管中的正电荷释放時间。

　　·Qrr：Internal diode reverse recovery charge，体二极管反向恢复正电荷。

　　体二极管正指导通、做为续二极管应用时，续流电流量也会与此同时给体二极管的结电容电池充电；续流完毕后，体二极管并不会立刻关闭，这是由于储存正电荷的释放出来产生了与续流电流的方向反过来的回应电流量。这一方位修复电流量与IGBT的集电结正方向电流方向是同样的，因而会提升IGBT的集电结功能损耗。

　　续流电流量与反向恢复电流量的相互关系可以用图2表明。

　　续流二极管技术参数

　　图2 续流电流量与反向恢复电流量Irr的关联

　　反向恢复正电荷Qrr可以用下式开展数值积分：

　　式中，Qrr为自变量，企业是C（库伦）；Irr为自变量，企业是A；trr为自变量，企业是s。

　　就现在看来，极快修复二极管的trr＞50ns，快修复二级无缝钢管的trr＞100ns，迅速二极管的trr＞300ns，一般二极管的trr＞500ns，肖特基二极管的trr＜10ns。有一些极快修复二极管的trr为20~50ns。

　　3.IFM、IFSM

　　IFM、IFSM的含意基本一致，均为極限主要参数，表明体二极管抗电流量一次冲击性的極限工作能力，也称之为浪涌电压。IFM表明体二极管能承担的较大正方向电流量，其尺寸受制于结温；IFSM也表明体二极管能承担的较大正方向电流量，但一般与此同时规范了检测标准——检测数据信号为正弦波形，占空比为10ms，脉冲。

　　IFM、IFSM与IGBT的ICM含意相仿，仅仅承担电流量的题材不一样而已，并且有时标值也非常贴近。

　　4.di（rec）M/dt、dif/dt

　　·di（rec）M/dt：体二极管反向恢复电流量的坠落速度（图3中的tb时间范围），企业A/μs。

　　·dif/dt：体二极管续流电流量的变动速度，企业A/μs。

　　dif/dt针对Irr、trr、Qrr均有显著危害，对Irr、Qrr的直接影响是正方向的，对trr的危害则是反方向的，如图所示3所显示。

　　续流二极管技术参数

　　肖特基（Schottky）二极管又被称为肖特基势垒二极管（通称SBD），它属一种功耗低、快速半导体元器件。最明显的特性为反向恢复時间非常短（能够小到几纳秒），正指导通损耗仅0.4V上下。其多作为高频率、低电压、大电流量整流二极管、续流二极管、维护二极管，也有效在卫星通信等肖特基（Schottky）二极管又被称为肖特基势垒二极管（通称SBD），它属一种功耗低、快速半导体元器件。最明显的特性为反向恢复時间非常短（能够小到几纳秒），正指导通损耗仅0.4V上下。其多作为高频率、低电压、大电流量整流二极管、续流二极管、维护二极管，也有效在卫星通信等电源电路中作整流二极管、小数据信号检波二极管应用。在通讯电源、变频调速器等中非常普遍。