中国光学光电产业协会半导体材料技术专业联合会依据中国及领域里面的具体情况,基本制订了国家标准"发光二极管测试标准".文中阐述了与发光二极管检测相关的专业术语和界定,在这个基础上,详解了测试标准和检测设备的规定.

　　文中涉及到的测试标准适用紫外线/能见光/红外线发光二极管以及部件,其芯片测试能够参考开展。

　　2 专业术语和界定

　　2.1发光二极管 LED

　　除半导体材料激光发生器外，当电流量鼓励时要发送电子光学辐射源的半导体材料二极管。严苛地讲，专业术语LED应当仅使用于发送能见光的二极管;发送近红外光谱仪辐射源的二极管叫红外线发光二极管(IRED,Infrared EmitTIng Diode) ;发送最高值光波长在能见光中短波限周边，由部分紫外线辐射源的二极管称之为紫外线发光二极管;可是习惯性上把以上三种半导体材料二极管通称为发光二极管。

　　2.2直线光轴 OpTIcal axis

　　较大发亮(或辐射源)抗压强度方位轴线。

　　2.3正方向工作电压VF Forward voltage

　　根据发光二极管的正面电流量为明确值时，在磁极间形成的电流。

　　2.4反方向电流量IR Reverse current

　　加在发光二极管两边的方向工作电压为明确值时，穿过发光二极管的电流量。

　　2.5反方向工作电压VR Reverse voltage

　　被测LED元器件根据的方向电流量为明确值时，在磁极间所造成的电流。

　　2.6总电容器C Capacitance

　　在要求正方向偏压和要求頻率下，发光二极管两边的电容器。

　　2.7定时开关 Switching TIme

　　涉及到下列定义的最少和最大标准值是10%和90%，除非是尤其标明。

　　2.7.1开启时间延迟td(on) Turn-on delay TIme

　　键入脉冲前沿最少标准值到輸出脉冲前沿最少标准值中间的间隔时间。

　　2.7.2增益值tr Rise time

　　輸出脉冲前沿最少标准值到最大标准值中间的间隔时间。

　　2.7.3打开時间ton Turn-on time

　　元器件所加键入脉冲前沿的最少标准值到輸出脉冲前沿最大标准值中间的间隔时间

　　ton= td(on) tr

　　2.7.4关掉时间延迟td(off) Turn-off delay time

　　元器件所加键入脉冲后沿的最大标准值到輸出脉冲后沿最大标准值中间的间隔时间

　　2.7.5上升幅度tf Fall time

　　輸出脉冲后沿最大标准值到最少标准值中间的间隔时间(见图1)。

　　图1 定时开关 时间延迟

　　2.7.6关掉時间toff Turn-off time

　　元器件所加键入脉冲后沿的最少标准值到輸出脉冲后沿最少标准值中间的间隔时间。

　　toff =td(off) tf

　　2.8流明值Φv Luminous flux

　　根据发光二极管的正面电流量为标准值时，元器件电子光学对话框发送的流明值。

　　2.9辐射强度Φe Radiant power

　　根据发光二极管的正面电流量为标准值时，元器件电子光学对话框发送的辐射强度。

　　2.10辐射强度高效率ηe Radiant power efficiency

　　元器件发送的辐射强度 与元件的额定功率(正方向电流量 乘于正方向工作电压 )的比率：

　　ηe =Φe/(IF•VF)

　　注：在与其他专业术语不容易搞混时，可简写为辐射效率 (Radiant efficiency)。

　　2.11流明值高效率ηv Luminous flux efficiency

　　元器件发送的流明值Φv 与元件的额定功率(正方向电流量 IF乘于正方向工作电压 VF)的比率：

　　ηv =Φv/(IF•VF)

　　注：在与其他专业术语不容易搞混时，可简写为发亮高效率(Luminous efficiency)。

　　2.12发亮(或辐射源)室内空间布局图及有关特点

　　2.12.1发亮(或辐射源)抗压强度Iv Luminous(or Radiant) intensity

　　灯源在企业方向余弦内发送的光(或辐射源)扩散系数，可表达为Iv =dΦ/dΩ。发亮(或辐射源)抗压强度的定义规定假设放射性物质是一个点放射性物质，或是它的规格跟光探测仪的范围与离光探测仪的间距对比是充足小，在这个情况，光探测仪表层的光(或辐射源)光照强度遵循间距平方米反比例定律，即E=I/d2 。这儿I是放射性物质的抗压强度，d是放射性物质核心到探测仪核心的间距。把这个情形称之为远场标准。殊不知在很多运用中，精确测量LED时选用的间距相比较短，源的相应规格很大，或是探测仪表层产生的视角很大，这就是所说的线下标准。这时，光探测仪精确测量的光(或辐射源)光照强度在于合理的检测标准。

　　2.12.2均值LED抗压强度 Averaged LED intensity

　　直射在离LED一定距离处的光检测器上的扩散系数Φ与由探测仪组成的立体角Ω 的比率，立体角可将探测仪的总面积S除于精确测量间距d的平方计算获得。

　　I=Φ/Ω=Φ/(S/d2)

　　CIE强烈推荐规范标准A和B(见7.2.1.2)来精确测量近场标准下的均值LED抗压强度,能够各自用标记ILED A和ILED B来表明,用标记ILED Ae和ILED Av各自表明规范标准A精确测量的均值LED辐照度和平均LED亮度单位。

　　2.12.3发亮(或辐射源)抗压强度室内空间布局图 Luminous(or Radiant)diagram

　　体现元器件的发亮(或辐射源)抗压强度空间布局特点(见图2)：

　　Iv(或Ie)=f(θ)

　　图2 辐射图和相关特点

　　注1：除非是此外要求，发亮(或辐射源)抗压强度遍布应当要求在包含机械轴Z的水平面内。

　　注2：假如发亮(或辐射源)抗压强度遍布图型有以Z轴为旋转对称特点，发亮(或辐射源)抗压强度室内空间布局图　仅要求一个平面图。

　　注3：要是没有以Z轴为旋转对称特点，各种各样视角θ的发亮(或辐射源)抗压强度遍布应该有规定，X、Y、Z方位规定可有详尽标准界定。

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