肖特基二极管肖特基（Schottky ）二极管，又被称为肖特基势垒二极管（通称SBD），它属一种功耗低、快速半导体元器件。最明显的特性为反向恢复時间非常短（能够 小到几纳秒），正指导通损耗仅0.4V上下。其多作为高频率、低电压、大电流量整流二极管、续流二极管、维护二极管，也有效在卫星通信等电源电路中作整流二极管、小数据信号检波二极管应用。在通信电源、变频调速器等中非常普遍。

　　肖特基二极管参数：

　　（1） VF 正方向损耗Forward Voltage Drop

　　（2） VFM 较大 正方向损耗Maximum Forward Voltage Drop

　　（3） VBR 反方向击穿电压Breakdown Voltage

　　（4） VRMs 能承担的反方向有效值工作电压RMS Input Voltage

　　（5） VRRM最高值不断反方向工作电压Peak RepeTITIve Reverse Voltage

　　（6） VRsM Non-RepeTITIve Peak Reverse Voltage （halfwave，single phase，60 Hz）非不断反方向最高值工作电压（半波，单相电，60Hz ）

　　（7） VRwM 反方向最高值工作标准电压Working Peak ReverseVoltage

　　（8） Vpc 较大 直流电截止电压Maximum DC BlockingVoltage

　　（9） Trr 反向恢复時间Reverse Recovery Time

　　（10） Ip（Av 正方向电流量Forward Current

　　（11） IrsM 较大 正方向浪涌电压Maximum Forward SurgeCurrent

　　（12） IR 反方向电流量Reverse Current

　　（13） Ta 工作温度或随意气体溫度Ambient Temperature

　　（14） Tj 工作中结温Operating Junction Temperature

　　（15） TsTG 存储溫度Storage Temperature Range

　　（16） Tc 管道壳温Case Temperature

　　肖特基二极管特性：

　　1、肖特基它是一种功耗低、快速半导体元器件，广泛运用于开关电源电路、变频调速器、控制器等电源电路，作高频率、低电压、大电流量整流二极管、续流二极管、维护二极管应用，或在卫星通信等电源电路中作整流二极管、小数据信号检波二极管应用。

　　2、肖特基二极管的构造肖特基二极管在构造机理上与 PN 结二极管有较大差别，它的内部结构是由阳极氧化金属材料（用钼或铝等材质制作而成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）静电场清除原材料、N 外延性层（砷原材料）、N 型硅硅片、N 负极层及负极金属材料等组成。

　　在 N 型硅片和阳极氧化金属材料中间产生肖特基势垒。

　　当在肖特基势垒两边再加上正方向偏压（阳极氧化金属材料插线正级，N 型硅片插线负级）时，肖特基势垒层变小，其阻值缩小；相反，若在肖特基势垒两边再加上反方向偏压时，肖特基势垒层则变大，其内电阻增大。

　　肖特基二极管分成有导线和表层安裝（帖片）二种封装类型。

　　选用有导线式封裝的肖特基二极管一般做为高频率大电流量整流二极管、续流二极管或维护二极管应用。它有短管式和对管（双二极管）式二种封装类型。

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