绝缘层栅型场效管之详解2

3. 特点曲线图（以N断面加强型为例子）

场效管的迁移特点曲线图动漫

4.其他种类MOS管

（1）N断面耗光型：生产制造时在栅压电缆护套中掺入很多的共价键，因此 就算在VGS=0时，因为共价键的功效，2个N区中间存有导电性断面（相近结型场效管）。

其他种类MOS管

（2）P断面加强型：VGS = 0时，ID = 0打开工作电压低于零，因此 只能当VGS < 0时管道才可以工作中。

（3）P断面耗光型：生产制造时在栅压电缆护套中掺入很多的空气负离子，因此 就算在VGS=0 时，因为空气负离子的功效，2个P区中间存有导电性断面（相近结型场效管）。

5. 场效管的基本参数

(1) 打开工作电压VT ：在VDS为一固定不动标值时，能造成ID所须要的最少 |VGS | 值。（提高）

(2) 夹断电压VP ：在VDS为一固定不动标值时，使 ID相匹配一细微电流量时的 |VGS | 值。（耗光）

(3) 饱和状态漏极电流量IDSS ：在VGS = 0时，管道产生预夹断时的漏极电流量。（耗光）

(4) 极间电容 ：漏源电容器CDS约为 0.1～1pF，栅源电容器CGS和栅漏极电容器CGD约为1～3pF。

(5) 低頻跨导 gm ：表明VGS对iD的调节功效。

　　在迁移特点曲线图上，gm 是曲线图在某点上的切线斜率，也可由iD的关系式求导得到，企业为 S 或 mS。

(6) 较大漏极电流量 IDM

(7) 较大漏极损耗输出功率 PDM

(8) 漏源击穿电压 V(BR)DS 栅源击穿电压 V(BR)GS

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