晶体管结构与分类晶体管内部结构特点

2022-02-26 13:34分类：电子元器件阅读：

文中详细介绍了晶体三极管的构造与归类，晶体三极管由2个PN结组成，分成NPN型和PNP型两大类，依据应用原材料的不一样，晶体三极管又分成NPN型锗管和NPN型硅管，PNP型锗管和PNP型硅管，并详细介绍了晶体三极管内部构造特性。

晶体三极管构造与归类晶体三极管内部构造特性

晶体三极管由2个PN结组成，分为三层，依照P型和N型排序的次序不一样，可分成NPN型和PNP型两大类，结构示意图和电路符号如下图所显示。

依据所应用的原材料不一样，晶体三极管又可分成NPN型锗管和NPN型硅管，PNP型锗管和PNP型硅管。

由图中得知，两大类晶体三极管都分为基区、发射区、集电区，各自引出来的电级称之为基极（B）、发射极（E）、集电结（C）。

基区和发射区中间的结称之为发射结；基区和集电区中间的结称之为集电结。NPN型和PNP型标记的差别是发射极的箭头符号方位不一样。

晶体三极管内部构造特性：发射区杂质浓度最大，即多子浓度值最大，容积很大；基区非常薄且杂质浓度极低；集电区容积较大，杂质浓度较发射区低。它是晶体三极管具备电流量变大功效的內部标准。