1. 基本要素

　　二极管由芯管、列管式和2个电级组成。芯管便是一个PN结，在PN结的两边各引出来一个导线，并且用塑胶、夹层玻璃或金属复合材料做为封裝机壳，就组成了晶体二极管，如下图所显示。P区的引出来的电级称之为正级或阳极氧化，N区的引出来的电级称之为负级或负极。

　　1.1 二极管的光电流特点

　　二极管的光电流特点就是指加在二极管两直流电压和穿过二极管的电流量中间的关联，用以定量研究这二者关联的曲线图称之为光电流特点曲线图。根据晶体三极管图例仪观查到硅二极管的光电流特点如下图所显示。

　　1.2 正方向特点

　　1）另加正方向工作电压较钟头，二极管展现的电阻器很大，正方向电流量基本上为零，曲线图OA段称之为不导通区或过流保护。一般硅管的过流保护工作电压约为0.5伏， 锗的过流保护工作电压约为0.2伏，该工作电压值又被称为门槛工作电压或阈值电压。

　　2）当另加正方向工作电压超出过流保护工作电压时，PN结内静电场基本上被相抵，二极管展现的电阻器不大，正方向电流量逐渐提升，进到正指导通区，但这时工作电压与电流量相差太大如AB段。随另加电流的提升正方向电流量快速提升，如BC段特点曲线图陡直，光电流关联类似线形，处在充足通断情况。

　　3）二极管通断后两边的顺向工作电压称之为正方向损耗（或管损耗），且基本上稳定。硅管的管损耗约为0.7V，锗管的管损耗约为0.3V。

　　1.3 反方向特点

　　1）二极管承担反方向工作电压时，提升了PN结的内静电场，二极管展现非常大电阻器，这时仅有不大的方向电流量。如曲线图OD段称之为反方向截至区，这时电流量称之为反方向饱和电流。具体运用中，反方向电流量越小表明二极管的逆向电阻器越大，反方向截至特性越好。一般硅二极管的反方向饱和电流在几十微安下列，锗二极管则达好几百微安，功率大的二极管稍大点。

　　2）当反方向工作电压扩大到一定标值时（图上D点），反方向电流量大幅度增加，进到反方向穿透区，D点相对应的电流称之为反方向击穿电压。二极管被穿透后电流量过将军使管道毁坏，因而除稳压极管外，二极管的方向工作电压不可以超出击穿电压。

　　2. 逆变电路

　　2.1 单边半波整流电源电路

　　二极管如同一个控制开关，u2为正自感电动势时，全自动把开关电源与负荷接入，u2为负自感电动势时，全自动将开关电源与负荷断开。因而，由下面的图由此可见，负荷上获得方位不会改变、尺寸变动的脉动饮料交流电压uo如下图所显示。因为该电源电路只在u2的正自感电动势有輸出，因此 称之为半波整流电源电路。假如将整流二极管的旋光性互换，可得到 负级性的直流电脉动饮料工作电压。

　　2.2 全波整流电源电路

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