电力工程电子元器件与运用

（一） 电力工程二极管

构造

基本上特点

静态数据特点 光电流特点

动态性特点 零参考点、正方向参考点、反方向参考点三种形状变换时，光电流特点随时长转变 。

基本参数与型号选择参照根据

正方向均值电流量 IF，其有效值为1.57IF。挑选二极管时，应依照有效值选择。

正方向电流 UF，一般选择损耗小的二极管，以减少耗损。

反方向反复最高值工作电压 URRM 按2&TImes;URRM挑选电力工程二极管，URRM一般不是反复反方向最高值工作电压HRSM的2∕3。

反方向均值­­­­­泄露电流IRR，也称反方向反复均值电流量，是URRM下的均值泄露电流。

反向恢复時间trr。

关键种类

一般二极管、整流二极管

迅速修复二极管trr<5us 迅速外延性二极管trr<50ns

肖特基二极管trr<10～40ns 用以200V以内的线路中

可控硅及继承元器件

可控硅（SCR）又被称为晶闸管，在高电压、大工作电流的运用场所，SCR是无可取代的元器件。在大空间、低頻的电力工程电子系统中仍占主导性。特性优质的可控硅继承元器件，如迅速、双重、逆导、门极可关闭及光控开关等可控硅。

可控硅的构造和原理

仅有可控硅阳极氧化和门极与此同时承担正方向工作电压时，可控硅才可以通断，二者缺一不可。

可控硅一旦通断后，门极将丧失操纵功效，门极工作电压对管道之后的通断与关闭均失灵，故门极操纵工作电压只需是有一定总宽的正方向单脉冲工作电压就可以，这一单脉冲称之为开启单脉冲。

使得已通断的可控硅关闭，务必使阳极氧化电流量减少到某一个标值下列。这可利用提升负载电阻减少阳极氧化电流量，使其靠近于0。此外，还可以增加反方向阳极氧化工作电压来完成。

2 可控硅的基础特点

（1）静态数据特点 光电流特点

①可控硅的阳极氧化光电流特点

②门极光电流特点 门极光电流特点区的限制，各自用门极正方向最高值工作电压UFGM、门极正方向最高值电流量IFGM、门极最高值输出功率PGM来表现。门极开启也有一个敏感度难题，正方向门极工作电压一定超过门极开启工作电压UGT，正方向门极电流量一定超过门极开启电流量IGT。

可控硅的动态性特点

可控硅的启用特点 门极启用，即在正方向阳极氧化工作电压的标准下，门极增加正方向开启数据信号使可控硅通断，这类启用为一切正常启用。

3.可控硅的基本参数

可控硅的工作电压主要参数

断态不反复最高值工作电压UDSM

断态反复最高值工作电压UDRM 要求UDRM为UDSM的90%。

反方向不反复最高值工作电压URSM

反方向反复最高值工作电压URRM 要求URRM为URSM的90%。

额定电流 UR就是指断态反复最高值工作电压UDRM和反方向反复最高值工作电压URRM二者中，较小的一个工作电压值。采用可控硅时，应当使其额定电流为一切正常工作标准电压最高值UM的2～3倍，以做为安全性裕量。 UR=（2～3）UM

通态最高值工作电压UTM 就是指额定电压时管道通断的管损耗最高值，一般为1.5～2.5V，且随阳极氧化电流量提升而稍微提升。额定电压时的通态均值电流一般为1V上下。

可控硅的电流量主要参数

通态均匀电流量 IT（AV） 可控硅的通态均匀电流量，界定为可控硅的额定电压。 针对同一个有效值，不一样的交流电波型，他们的均值也不一样，因而采用一个可控硅时，要依据所运用的实际电流量波型来测算出容许采用的电流量均值。有效值与平均数的比，称之为波型指数，即 I=KfId≈1.57IT(AV)

保持电流量IH 就是指可控硅保持通断所必需的最少电流量。

擎住电流量IL 擎住电源电路比保持电流量大2～4倍。

浪涌电压ITSM 就是指在要求标准下，直流正弦函数半周期时间内准许的较大负载最高值电流量。

(3)别的主要参数

断态工作电压临界值上升幅度du∕dt 为了更好地限定du∕dt上升幅度，一般在可控硅阳极氧化与负极中间串联一个RC阻容缓存电源电路，运用电容器两直流电压不可以突跳的特性，来限定工作电压的上升幅度。

断态电流量临界值上升幅度di∕dt 为了更好地限定电源电路电流量上升幅度，可在阳极氧化主线路中串入一个小电源电路，用以限定di∕dt过大。

门极开启电流量IGT和门极开启工作电压UGT 为了更好地确保变流器设备的开启电源电路对类似可控硅都能一切正常开启，规定开启电源电路给予的开启电流量、开启工作电压值，适度超过标准的IGT和UGT上限制值，但无法超出门极所规范的各种各样技术参数的極限最高值。

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