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晶体二极管的分类详细介绍

2022-04-15 07:46分类:电子元器件 阅读:

 

晶体二极管的归类详解

一、依据结构归类
  半导体材料二极管主要是借助PN结而工作中的。与PN结不可缺少的点接触型和肖特基型,也被纳入一般的二极管的范畴内。包含这2种型号规格以内,依据PN结结构面的特性,把晶体二极管归类以下:

1、点接触型二极管
  点接触型二极管是在锗或光伏材料的单晶体上面压触一根金属材料针后,再根据电流量法而产生的。因而,其PN结的静电感应容积小,适用高频电路。可是,与面结型相较为,点接触型二极管正方向特点和方向特点都差,因而,不可以应用于大电流量和整流器。由于结构简易,因此 价格低。针对小数据信号的检波、整流器、调配、混频和限幅等一般主要用途来讲,它是使用范畴比较广泛的种类。

2、键型二极管
  键型二极管是在锗或硅的单晶体上面溶接或银的细条而产生的。其性能处于点接触型二极管和铝合金型二极管中间。与点接触型相较为,尽管键型二极管的PN结容量稍有提升,但正方向特点非常优质。多作电源开关用,有时候也被运用于检波和开关电源整流器(不超50mA)。在键型二极管中,溶接金絲的二极管有时候被称金键型,溶接丝条的二极管有时候被称作银键型。

3、铝合金型二极管
  在N型锗或硅的单晶体上面,根据铝合金铟、铝等金属材料的办法制做PN结而产生的。正方向电流小,适合大电流量整流器。因其PN结反方向时静电感应容积大,因此 不适合高频率检波和高频率整流器。

4、蔓延型二极管
  在持续高温的P型残渣汽体中,加温N型锗或硅的单晶体片,使单晶体片表层的一部变为P型,以此方法PN结。因PN结正方向电流小,适用大电流量整流器。近期,应用大电流量电子整流器的流行已由硅铝合金型迁移到硅蔓延型。

5、橱柜台面型二极管
  PN结的做法尽管与蔓延型同样,可是,只保存PN结以及需要的一部分,把多余的一部分用药物浸蚀掉。其剩余的部分便展现颁布面型,因此而出名。前期制造的橱柜台面型,是对半导体器件应用蔓延法而制作的。因而,又把这类橱柜台面型称之为蔓延橱柜台面型。针对这一种类而言,好像大电流量整流器用的产品规格非常少,而小电流量电源开关用的产品规格却许多。

6、平面图型二极管
  在半导体材料单晶体片(关键地是N型硅单晶片)上,蔓延P型残渣,运用单晶硅片表层空气氧化膜的拦截功效,在N型硅单晶片上仅可选择性地蔓延一部分而产生的PN结。因而,不用为调节PN结总面积的药物浸蚀功效。因为半导体材料外表被制做得整平,因此而出名。而且,PN结合的表层,因被氧化膜遮盖,因此 认可为是稳定好和长寿命的种类。最开始,针对被采用的半导体器件是选用外延性法产生的,故又把平面图型称之为外延性平面图型。对平面图型二极管来讲,好像应用于大电流量整流器用的型号规格非常少,而作小电流量电源开关用的型号规格则许多。

7、铝合金蔓延型二极管
  它是铝合金型的一种。合金制品是很容易被蔓延的原材料。把无法制做的资料根据恰当地掺配残渣,就能与铝合金一起过蔓延,便于在早已产生的PN结中得到 残渣的适当的含量遍布。此方法适用生产制造高灵敏的变容二极管。

8、外延性型二极管
  用外延性面长的全过程生产制造PN结而产生的二极管。生产制造时必须十分精湛的技术性。因能随便地操纵残渣的不一样含量的遍布,故适合于生产制造高灵敏的变容二极管。

9、肖特基二极管
  基本概念是:在金属材料(比如铅)和半导体材料(N型单晶硅片)的表面上,用已产生的肖特基来阻拦反方向工作电压。肖特基与PN结的整流器功效基本原理有原则性的差别。其抗压水平仅有40V上下。其专长是:电源开关速率特别快:反向恢复時间trr尤其地短。因而,能制做电源开关二极和低电压大电流量整流二极管。

二、依据主要用途归类

1、检波用二极管
  就基本原理来讲,从键入数据信号中取下调配数据信号是检波,以整流器电流量的尺寸(100mA)做为界限一般把輸出电流量低于100mA的叫检波。锗原材料点接触型、输出功率可以达到400MHz,正方向损耗小,结电容小,检波高效率,频率特点好,为2AP型。相近点触型那般检波用的二极管,除用以检波外,还可以用以限幅、削波、调配、混频、电源开关等电源电路。也有所为电台广播检波专用型的特点一致性好的二只二极管组成件。

2、整流器用二极管
  就基本原理来讲,从键入沟通交流中获得輸出的直流电是整流器。以整流器电流量的尺寸(100mA)做为界限一般把輸出电流量超过100mA的叫整流器。面结型,输出功率低于KHz,最大反方向工作电压从25伏至3000伏分A~X共22档。归类以下:①硅半导体材料整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用以电视高压硅堆输出功率近100KHz的2CLG型。

3、限幅用二极管
  大部分二极管能做为限幅应用。也是有象维护仪表盘用和高频率齐纳管那般的专用型限幅二极管。为了更好地使这种二极管具备非常强的限定锐利震幅的功效,一般应用光伏材料制作的二极管。也是有那样的部件售卖:根据限定工作电压必须,把多个必需的整流二极管串连在一起产生一个总体。

4、调配用二极管
  一般指的是环状调配常用的二极管。便是正方向特点一致性好的四个二极管的組合件。即便 其他变容二极管也是有调配主要用途,但他们一般是立即做为电台广播用。

5、混频用二极管
  应用二极管混频方法时,在500~10,000Hz的工作频率范畴内,多选用肖特基型和点接触型二极管。

6、变大用二极管
  用二极管变大,大概有借助隧道施工二极管和体效用二极管那般的负阻性元器件的变大,及其用变容二极管的参数变大。因而,变大用二极管一般就是指隧道施工二极管、体效用二极管和变容二极管。

7、电源开关用二极管
  有在小电流量下(10mA水平)应用的或运算与在百余mAh下应用的磁心鼓励用开关二极管。小电流量的开关二极管一般有点儿触碰型和键型等二极管,也是有在高溫下还很有可能工作中的硅蔓延型、橱柜台面型和水平型二极管。开关二极管的专长是电源开关速度更快。而肖特基型二极管的定时开关特短,因而是理想化的开关二极管。2AK型点接触为中等速度电路用;2CK型平面图触碰为快速电路用;用以电源开关、限幅、钳位或检波等电源电路;肖特基(SBD)硅大电流量电源开关,正方向损耗小,速度更快、高效率。

8、变容二极管
用以全自动頻率操纵(AFC)和自动调谐用的小输出功率二极管称变容二极管。***生产商层面也是有其他很多称呼。根据增加逆向工作电压, 使其PN结的静电感应容积产生变化。因而,被应用于全自动頻率操纵、扫描仪震荡、电台广播和自动调谐等主要用途。一般,尽管是选用硅的蔓延型二极管,可是也可选用铝合金蔓延型、外延性融合型、双向蔓延型等独特制造的二极管,由于这种二极管针对工作电压来讲,其静电感应容积的弹性系数尤其大。结电容随反方向工作电压VR转变,替代可变电容,作为自动调谐控制回路、谐振电路、锁相环路,常见于电视高频头的频道栏目变换和自动调谐电源电路,多以光伏材料制做。

9、頻率增长用二极管
  对二极管的频次增长功效来讲,有借助变容二极管的频次增长和借助阶跃(即急变)二极管的频次增长。頻率增长用的变容二极管称之为可变性串联电抗器,可变性串联电抗器尽管和全自动頻率操纵用的变容二极管的原理同样,但串联电抗器的结构却能承担功率大的。阶跃二极管又被称作阶跃修复二极管,从通断转换到关掉时的反向恢复時间trr短,因而,其专长是快速地变为关掉的迁移時间明显地短。假如对阶跃二极管增加正弦波形,那麼,因tt(迁移時间)短,因此 輸出波型急剧的被夹断,所以能造成许多高频率谐波电流。

10、稳压二极管
  是替代稳压管电子器件二极管的商品。被制造变成 硅的蔓延型或铝合金型。是反方向穿透特点曲线图急剧转变的二极管。做为操纵电流和规范工作电压应用而制造的。二极管工作中时的直流电压(又被称为齐纳工作电压)从3V上下到150V,按每过10%,能区划成很多级别。在输出功率层面,也是有从200mW至100W之上的商品。工作中在反方向穿透情况,光伏材料制做,动态性电阻器RZ不大,一般为2CW型;将2个相辅相成二极管反方向串连以降低温度系数则为2DW型。

11、PIN型二极管(PIN Diode)
  这也是在P区和N区中间夹一层本征半导体(或较低浓度的残渣的半导体材料)结构的晶体二极管。PIN中的I是"本征"意义的英文略语。当其输出功率超出100MHz时,因为极少数自由电子的存储效用和"本征"层中的渡越時间效用,其二极管丧失整流器功效而变为特性阻抗元器件,而且,其特性阻抗值随偏置电压而更改。在零参考点或直流电反方向参考点时,"本征"区的特性阻抗很高;在直流电正方向参考点时,因为自由电子引入"本征"区,而使"本征"区展现出低特性阻抗情况。因而,能够 把PIN二极管做为可变性特性阻抗元器件应用。它常被运用于高频开关(即微波开关)、移相、调配、限幅等线路中。

12、 雪崩二极管 (Avalanche Diode)
  它是在另加工作电压的作用下能够造成高频率振动的晶体三极管。造成高频率振动的原理是栾的:运用雪崩击穿对结晶引入自由电子,因自由电子渡越芯片必须一定的時间,因此 其电流量落后于工作电压,发生时间延迟,若恰当地操纵渡越時间,那麼,在电流量和工作电压关联上便会发生负阻效用,进而造成高频率震荡。它常被运用于微波加热行业的谐振电路中。

13、江崎二极管 (Tunnel Diode)
  它是以隧穿电流量为关键电流量份量的晶体二极管。其底材原材料是氮化镓和锗。其P型区的N型区是高夹杂的(即浓度较高的残渣的)。隧道施工电流量由这种简并态半导体材料的物理学效用所造成。产生隧穿具有以下三个标准:①费米能级坐落于导带和满带内;②空间电荷层总宽务必窄小(0.01微米下列);简并半导体材料P型区和N型区中的氧空位和电子器件在同一电子能级上面有相叠的概率。江崎二极管为双接线端子有源器件。其基本参数有峰谷电流比(IP/PV),在其中,字符"P"意味着"峰";而字符"V"意味着"谷"。江崎二极管能够 被运用于低噪音高频率放大仪及高频率震荡器中(其输出功率达到mm股票波段),还可以被运用于快速电路中。

14、迅速关闭(阶跃修复)二极管 (Step Recovary Diode)
  它也是一种具备PN结的二极管。其构造上的特征是:在PN结界限处具备险峻的残渣主产区,进而产生"自助式静电场"。因为PN结在正方向偏压下,以极少数自由电子导电性,并在PN结周边具备正电荷存储效用,使其反方向电流量必须历经一个"存储時间"后才可以降至极小值(反方向饱和电流值)。阶跃修复二极管的"自助式静电场"减少了存储時间,使反方向电流量迅速截至,并造成丰富多彩的谐波电流份量。运用这种谐波电流份量可制定出梳状频带产生电源电路。迅速关闭(阶跃修复)二极管用以单脉冲和高次谐波电源电路中。

15、肖特基二极管 (Schottky Barrier Diode)
  它是具备肖特基特点的"金属材料半导体材料结"的二极管。其正方向起止工作电压较低。其金属材料层除原材料外,还能够选用金、钼、镍、钛等原材料。其半导体器件选用硅或氮化镓,多见N型半导体。这类元器件是由大部分自由电子导电性的,因此 ,其反方向饱和电流较以极少数自由电子导电性的PN结大很多。因为肖特基二极管中极少数自由电子的存储效用微乎其微,因此 其頻率响仅为RC稳态值限定,因此,它是高频率和快速开关的理想化元器件。其输出功率可以达到100GHz。而且,MIS(金属材料-导体和绝缘体-半导体材料)肖特基二极管能够 用于制做太阳能电池板或发光二极管。

16、减振二极管
  具备较高的反方向工作标准电压和最高值电流量,正方向损耗小,高频率髙压整流二极管,用在电视行扫描仪电源电路作减振和变压整流器用。

17、瞬变工作电压抑止二极管
  TVP管,对线路开展迅速过电压保护,分双极型和单级型二种,按最高值输出功率(500W-5000W)和工作电压(8.2V~200V)归类。

18、双基极二极管(单结晶体三极管)
  2个基极,一个发射极的三端负阻元器件,用以张驰谐振电路,按时工作电压读取电源电路中,它具备頻率易调、溫度稳定性能好等优势。

19、发光二极管
  用磷化镓、磷氮化镓原材料做成,体型小,正方向推动发亮。工作标准电压低,工作中电流量小,发亮匀称、使用寿命长、可泛红、黄、绿可见光。

三、依据特点归类
点接触型二极管,按正方向和方向特点归类以下。

1、一般用点接触型二极管
这类二极管如同题目所指的那般,一般被应用于检波和逆变电路中,是正面和方向特点既不特别好,都不尤其坏的里面商品。如:SD34、SD46、1N34A这些归属于这一类。

2、高反方向抗压点接触型二极管
  是较大 最高值反方向工作电压和较大 直流电反方向工作电压很高的商品。应用于髙压电源电路的检波和整流器。这类型号规格的二极管一般正方向特点不大好或一般。在点接触型锗二极管中,有SD38、1N38A、OA81这些。这类锗原材料二极管,其抗压受限制。规定高些时有硅铝合金和蔓延型。

3、高反方向电阻器点接触型二极管
  正方向工作电压特点和一般用二极管同样。尽管其反向抗压也是尤其高,但反方向电流量小,因而其专长是反方向电阻器高。应用于高输入电阻的控制电路和高阻负载电阻器的线路中,就锗原材料高反方向电阻器型二极管来讲,SD54、1N54A这些归属于这类二极管。

4、高传输点接触型二极管
  它与高反方向电阻器型反过来。其反方向特点虽然很差,但使正方向电阻器越来越充足小。对高传输点接触型二极管来讲,有SD56、1N56A这些。对高传输键型二极管来讲,可以获得更优质的特点。这类二极管,在负载电阻器尤其低的情形下,整流器高效率较高。

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