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硅和锗两种二极管的特性曲线差异

2022-04-19 00:04分类:电子元器件 阅读:

 

硅和锗二种二极管的性能曲线图差别

1) 硅二极管反方向电流量比锗二极管反方向电流量小的多,锗管为mA级,硅管为nA级。这主要是因为在同样溫度下锗的ni比硅的ni要高于约三个量级,因此 在同样夹杂浓度值下硅的少子浓度值比锗的少子浓度值低的多,故硅管的反方向饱和电流Is不大。

2)在正方向工作电压很钟头,根据二极管的电流量不大,仅有正方向工作电压超过某一标值Ur后,电流量才显著提高。一般把工作电压Ur称之为二极管的幅值工作电压,也称之为过流保护工作电压或阈值电压。因为硅二极管的Is远低于锗二极管的Is,因此 硅二极管的幅值工作电压超过锗二极管的幅值工作电压。一般硅二极管的幅值工作电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的幅值工作电压约为0.1V~0.2V。

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