日本光耦合器的销售市场虽不很大，但却以40%的增长率扩大，其首要因素是每一个程序流程控制板里都需要使用20～30个乃至大量的光耦合器。如今，光耦合器已展现出一种朝大空间和高速运行方位发展趋势的显著发展趋势。美、日两国之间生产制造的光耦合器以红外线发光二极管和感光元器件管构成的元器件为主导，此类元器件大概占全部美、日两国之间生产制造的所有光耦合器的60%上下。由于这类种类的元器件不但电流量传送高效率（一般为7～30%），并且响应时间非常快（2～5μs），因此可以符合大部分运用场所规定。横河电机企业用GaAsP红外线发光二极管作键入端，PIN光电二极管作协调器做成的三种快速光耦合器的绝缘层工作电压都是在3000伏之上，在其中5082—43610型快速数据光耦合器和5082—4361型高共模抑制型光耦合器的响应时间均可做到10Mb/s，他们的电流量传送高效率达60%之上。英国莫托罗拉企业生产制造的4N25、4N26、4N27型光耦合器归属于三极管輸出型光耦合器[2]，这类光耦合器具备很高的键入、輸出绝缘性能能，其相频特性可以达到300kHz，而定时开关仅有几微秒。

在日本电气公司（NEC）生产制造的快速光耦合器中，PS2101型光耦合器是一种常用的四脚平扁部件，它选用砷铝镓红外线发光二极管和硅光学晶体三极管组成，并将其封裝4&TImes;4.4&TImes;2立方毫米的容积以内，其响应时间为10μs。而PS2041和PS2042型光耦合器则是将砷铝镓发光二极管和光学晶体三极管集成化在同一衬底上的六脚封裝部件，他们的尺寸为7.08&TImes;7.6&TImes;3.5立方毫米，响应速度为0.3μs。

我国中国相关企业资金投入大量的财力物力也科学研究和研发了各种各样光耦合器件。如上海市半导体元器件八厂、上海市无线通信十七厂等。而重庆市光电科技研究室为了更好地满足销售市场必须研发出了一种由快速回应发亮元器件和逻辑性輸出型光接受放大仪构成的厚膜集成化双路快速功率放大电光纤耦合器。这类光耦合器的键入端由二只GaAIAs侧边发光二极管构成，其輸出端由二只Si—PIN光电探测器及其2个快速功率放大线形运算放大器构成。此外，重庆市光电科技研究室还制造出了快速髙压光耦合器、GG2150I型射频信号光耦合器、GG2060I型高压脉冲精确测量光耦合器、GH1204U型髙压光传送光耦合器及其GH1201Y型和GOHQ-I型光耦合器等。

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