二极管的原理
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体产生的p-n结，在其页面处两边产生空间电荷层，并建了建造静电场。当没有另加工作电压时，因为p-n 结两侧自由电子浓度值差导致的蔓延电流量和建造静电场导致的飘移电流量相同而位于电平衡状态。当外部有正方向工作电压限幅时，外部静电场和建造静电场的相互之间抑消效果使自由电子的蔓延电流量提升造成了正方向电流量。当外部有方向工作电压限幅时，外部静电场和建造静电场进一步加强，产生在一定反方向工作电压范畴内与反方向偏置电压值没有关系的反方向饱和电流I0。当另加的方向工作电压高到一定水平时，p-n结空间电荷层中的场强超过临界点发生自由电子的增长全过程，造成大量的电子器件氧空位对，造成了标值较大的反方向穿透电流量，称之为二极管的穿透状况。

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