半导体二节管及其应用详细介绍

2022-04-22 14:19分类：电子元器件阅读：

　 半导体材料二节管以及运用详解

2.3.1 半导体材料二极管的结构特征

　　在PN结上再加上导线和封裝，就变成一个二极管。二极管按构造分有点儿触碰型、面触碰型和水平型三大类。他们的结构示意图如下图所显示。

(1) 点接触型二极管—PN结总面积小，结电容小，用以检波和变频式等高频电路。

点接触二极管的结构示意图

(2) 面触碰型二极管—PN结总面积大，用以直流大电流量逆变电路。

面触碰型

(3) 平面图型二极管—通常用以集成电路芯片生产制造技术中。PN 结总面积不大不小，用以高频率整流器和电路中。

平面图型

2.3.2 半导体材料二极管的光电流特点曲线图

　　半导体材料二极管的光电流特点曲线图如图所示01.12所显示。处在第一象限的是正方向光电流特点曲线图，处在第三象限的是反方向光电流特点曲线图。依据基础理论推论，二极管的光电流特点曲线图可以用下式表明

式中IS 为反方向饱和电流，V 为二极管两边的电流，VT =kT/q 称之为溫度的工作电压剂量，k为玻耳兹曼参量，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。针对室内温度（非常T=300 K），则有VT=26 mV。

二极管的光电流特点曲线图

(1) 正方向特点

　　当V＞0即处在正方向特点地区。正方向区又分成2段：

　　当0＜V＜Vth时，正方向电流量为零，Vth称之为过流保护工作电压或打开工作电压。

　　当V＞Vth时，逐渐发生正方向电流量，并按指数值规律性提高。

　　硅二极管的过流保护工作电压Vth=0.5 V上下，

　　锗二极管的过流保护工作电压Vth=0.1 V上下。

(2) 反方向特点

　　当V＜0时，即处在反方向特点地区。反方向区也分2个地区：

　　当VBR＜V＜0时，反方向电流量不大，且基本上不随反方向工作电压的变动而转变，这时的方向电流量也称反方向饱和电流IS 。

　　当V≥VBR时，反方向电流量骤然提升，VBR称之为反方向击穿电压。

反方向特点

　　在反方向区，硅二极管和锗二极管的特点各有不同。硅二极管的反方向穿透特点较为硬、较为陡，反方向饱和电流也不大；锗二极管的反方向穿透特点较为软，衔接较为圆润，反方向饱和电流很大。

　　从穿透的原理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时,主要是雪崩击穿；若|VBR|≤4V时, 则主要是齐纳穿透。如在4V～7V中间二种穿透都是有，有可能得到零温度系数点。

.3.1 半导体材料二极管的结构特征