晶闸管是P1N1P2N2四层三端构造元器件，一共有三个PN结，剖析机理时，能够把它当作由一个PNP管和一个NPN管所构成，其等效电路详解如图所示1所显示

图1 晶闸管等效电路详解图

当阳极氧化A再加上正方向工作电压时，BG1和BG2管均处在变大情况。这时，假如从操纵极G键入一个正方向开启数据信号，BG2便有基流ib2穿过，经BG2变大，其集电结电流量ic2=β2ib2。由于BG2的集电结立即与BG1的基极相接，因此ib1=ic2。这时，电流量ic2寄内BG1变大，因此BG1的发射极电流量ic1=β1ib1=β1β2ib2。这一电流量又流返回BG2的基极，表成反馈调节，使ib2持续扩大，这般正方向馈循环系统的結果，2个管道的电流量猛增，晶闸管使饱和状态通断。

因为BG1和BG2所造成的正反馈性，因此一旦晶闸管通断后，即便操纵极G的电流量消失了，晶闸管依然可以保持通断情况，因为开启数据信号只起开启功效，沒有关闭作用，因此这类晶闸管是不能关闭的。

因为晶闸管仅有导通与关闭二种运行状态，因此 它具备电源开关特点，这类特点必须一定的标准能够转换，此标准见表1

表1 晶闸管导通与关闭标准

1、阳极氧化电位差高过是负极电位差
2、操纵极有充足的顺向电流和电流量

1、阳极氧化电位差高过负极电位差
2、阳极氧化电流量超过保持电流量

1、阳极氧化电势小于负极电位差
2、阳极氧化电流量低于保持电流量

2、基本上光电流特点

晶闸管的基本上光电流特点见图2

图2 晶闸管基本上光电流特点

（1）反方向特点

当操纵极引路，阳极氧化再加上逆向工作电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。这时只有穿过不大的反方向饱和电流，当工作电压进一步提高到J1结的雪崩击穿工作电压后，接差J3结也穿透，电流量快速提升，图3的特征逐渐弯折，如特点OR段所显示，弯曲处的工作电压URO叫“反方向转折点工作电压”。这时，晶闸管会产生永久反方向穿透。

图3 阳极氧化加反方向工作电压

（2）正方向特点

当操纵极引路，阳极氧化上再加上正方向工作电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与一般PN结的方向特点类似，也只有穿过不大电流量，这叫正方向阻隔情况，当工作电压提升，图3的特征发生了弯折，如特点OA段所显示，弯曲处的是UBO叫：正方向转折点工作电压

图4 阳极氧化加顺向工作电压

因为工作电压上升到J2结的雪崩击穿工作电压后，J2结产生山崩增长效用，在结区发生很多的电子器件和空穴，电子器件时入N1区，空穴时入P二区。进到N1区的电子器件与由P1区根据J1结引入N1区的空穴复合型，一样，进到P二区的空穴与由N二区根据J3结引入P二区的电子器件复合型，雪崩击穿，进到N1区的电子器件与进到P二区的空穴分别不可以所有复合型掉，那样，在N1区也有电子器件累积，在P二区就会有空穴累积，結果使P二区的电位差上升，N1区的电位差降低，J2结变为正偏，只需电流量稍提升，工作电压便快速降低，发生说白了负阻特点，见图3的斜线AB段。

这时候J1、J2、J3三个结均处在正偏，晶闸管便进到正方向导电性情况---通态，这时，它的性能与一般的PN结正方向特点类似，见图2中的BC段

3、开启通断

在操纵极G上添加正方向工作电压时（见图5）因J3正偏，P二区的空穴时入N二区，N二区的电子器件进到P二区，产生开启电流量IGT。在晶闸管的內部正反馈性（见图2）的根基上，再加上IGT的功效，使晶闸管提流板通，造成 图3的光电流特点OA段偏移，IGT越大，特点偏移越快。

图5 阳极氧化和操纵极均加顺向工作电压

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