TLP352是可立即推动中等水平容积IGBT或是输出功率MOSFET的DIP8封裝的IC光纤耦合器。该商品的较大时间延迟为200 ns，光耦合器中间的传递时间延迟差(PDD*) 为90 ns(以上时间延迟均为操作温度範围内的确保值), 可以降低停滞不前時间，提升变频式电源电路的高效率。该商品採用的是使用期限十分长的新式LED，因而其操作温度範围很大，在-40°C到125°C中间。该设备适用很多机器设备，包含极端化热自然环境下采用的工业设备、家庭用光学动力装置、多位电器产品、精确测量设备和操纵设备。

　　*: PDD是传送时间延迟差的简称。

　　特征

　　传送时间延迟: tpLH,tpHL=200ns (较大)

　　光纤耦合器中间的传递时间延迟差(PDD) = ±90ns (较大)

　　操作温度範围大: Topr = −40°C到125°C

　　最高值輸出电流量: IOP = ±2.5A (较大)

　　低键入电流量: IFHL = 5mA (较大)

　　抗压: BVs = 3750Vrms (最少)

　　运用

　　沟通交流伺服放大器

　　输出功率控制器

　　通用性变频调速器

　　IH(电磁感应加热)

　　轮廓图

　　*: 给予可选择表贴式脚位种类。

　　电源电路案例

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