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IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器:TLP155E

2022-05-20 07:01分类:电子元器件 阅读:

 

  TLP155E是一款SO6封裝IC光纤耦合器,可以立即推动一个小容积IGBT或输出功率MOSFET。确保传送延迟为200 ns(最高值),可以根据快速脉冲宽度调制(PWM)推动IGBT/输出功率MOSFET。这款设备的确保传送延迟时间误差为85 ns(最高值),有利于减少过流保护時间,并提升变频调速器、PDP维持电源电路等的高效率。TLP155E选用中小型SO6封裝,因而其安裝总面积比目前型号规格TLP705(SDIP6)小30%上下,与此同时符合国家检测标准的加强阻燃等级。本设备可用作各种各样商品,包含工业设备、数据电器产品、测量设备和控制系统。

  

小型高速IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器产品照片: TLP155E.

  特点

  传送延迟: tpLH,tpHL=200ns(最高值)

  传送延迟转变 : |tpLH,tpHL|=50ns(最高值)

  传送延迟时间误差: tpsk=85ns(最高值)

  图腾柱輸出

  最大輸出电流量: IOP=±0.6A

  键入电流量: IFLH=7.5mA(最高值)

  抗压: BVs=3750Vrms

  运用

  PDP

  通用性变频调速器

  MOSFET/IGBT栅压控制器

  变频中央空调

  轮廓图

  

小型高速IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器轮廓说明图: TLP155E.

  电源电路案例

  PDP维持电源电路

  

小型高速IGBT/MOSFET栅极驱动耦合器电路实例说明图: TLP155E.

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