可控硅的结构
晶闸管元器件—晶闸管元器件的构造
一种以硅单晶为基本上原料的P1N1P2N2四层三端元器件,研制于1957年,因为它特点类似真空泵闸流管,因此世界上简称为硅晶体闸流管,通称可控硅T。又因为可控硅最开始运用于控制整流器层面因此又称作硅可控性整流器元器件,通称为晶闸管SCR。
在功能上,晶闸管不但具备单方面导电率,并且还有着比硅整流器元器件(别名“死硅”)更加宝贵的可预测性。它仅有导通与关闭这两种情况。
晶闸管能以mAh级电流量操纵功率的机械设备,假如超出此頻率,因元器件开关损耗明显提升,容许利用的大概电流量相减少,这时,允差电流量应降权应用。
晶闸管的优势许多,比如:以小输出功率操纵功率大的,功率放大电路倍率达到几十万倍;反映很快,在微秒级内启用、关闭;无触点开关运作,无火苗、没有噪音;高效率,低成本这些。
晶闸管的缺点:静态数据及信息的负载工作能力较弱;非常容易受影响而欺诈通。
晶闸管从外型上归类具体有:地脚螺栓形、平板电脑形和厚底形。
晶闸管元器件的构造
无论晶闸管的外观设计怎样,他们的芯管全是由P型硅和N型硅构成的四层P1N1P2N2构造。见图1。它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1构造的P1层引出来阳极氧化A,从N2层引出来阴级K,从P2层引出来操纵极G,因此 它是一种四层三端的半导体元器件。
图1、晶闸管结构示意图和符号图
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