为小输出功率 IGBT 和 MOSFET 给予立即推动，并且最大操作温度可做到125℃。

　　近些年，伴随着化工用品和日用品中印刷线路板的安装相对密度的提升，发生将L波段半导体材料部件加温到高溫的发展趋势。针对这类半导体材料元器件来讲，代表着针对在操作温度範围内确保特性和高工作温度下稳定性规定的提升 。为解决这类规定，飞利浦开发设计出二种光耦合器，TLP351H 和 TLP701H。除可以立即推动相近的小输出功率 IGBT 和 MOSFET 外，这种新研发的光耦合器确保他们当今商品 TLP351 和 TLP701 的较大操作温度为从 100℃ 至 125℃。

　　TLP351H (DIP8封裝)

　　封裝在 DIP8 封裝中的 TLP351H 光耦合器可立即推动小输出功率 IGBT 和 MOSFET 的栅压。因为採用新研发的 LED，TLP351H 确保操作温度範围为 -40℃ 至 125℃。与其说当今商品 TLP351 相近，TLP351H 应用 BiCMOS 加工工艺製造，因而必须不超过 2 mA 的开关电源电流量，并有着在该领域中输出功率耗费最少的特性(注 1)。TLP351H 适用自始至终在高溫情况下运转的家庭用器材和工业生产主要用途。

　　TLP701H (SDIP6 封裝)

　　封裝在 SDIP6 封裝中的 TLP701H 光耦合器可立即推动小输出功率 IGBT 和 MOSFET 的栅压。TLP701H 佔用 DIP8 封裝大概一半的封裝规格，并符合国家安全性标準的强制性绝缘层规定(待 VDE 验证)。因为採用与 TLP351H 同样的 LED，TLP701H 一样确保操作温度範围为 -40℃ 至 125℃。

　　注 1：依据东芝公司于 2010 年 5 月实行的 IGBT/输出功率-MOSFET 门控制器光耦合器调研。

　　引脚配备

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