LED芯片归类
1.MB集成ic界定与特性

界定﹕
MB 集成ic﹕Metal Bonding (金属材料黏着）集成ic﹔该处理器归属于UEC 的专利技术

特性﹕
1、 选用高排热指数的原材料---Si 做为衬底﹐排热非常容易.

Thermal ConducTIvity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ～ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K

2、根据金属材料层来紧密连接(wafer bonding)磊晶层和衬底，与此同时反射面光量子，防止衬底的消化吸收.
3、导电性的Si 衬底替代GaAs 衬底，具有较好的导热工作能力(传热系数相距3~4 倍)，更适用于高工作电压行业。
4、底端金属材料反射层﹐有益于亮度的提高及排热
5、规格可增加﹐运用于High power 行业﹐eg : 42mil MB

2.GB集成ic界定和特性

界定﹕
GB 集成ic﹕Glue Bonding (黏着融合）集成ic﹔该处理器归属于UEC 的专利技术
特性﹕
1﹕全透明的蓝色宝石衬底替代吸光度的GaAs衬底﹐其出激光功率是传统式AS (Absorbable structure)集成ic的2倍之上﹐蓝色宝石衬底相近TS集成ic的GaP衬底.
2﹕集成ic四面发亮﹐具备优异的Pattern图
3﹕色度层面﹐其总体色度已超出TS集成ic的水准(8.6mil)
4﹕双电级构造﹐其耐高温电流量层面要稍弱于TS单电级集成ic

3.TS集成ic界定和特性

界定﹕
TS 集成ic﹕ transparent structure(全透明衬底)集成ic﹐该处理器归属于HP 的专利技术。

特性﹕
1.集成ic制作工艺繁杂﹐远超AS LED
2. 信任性非凡
3.全透明的GaP衬底﹐不消化吸收光﹐更亮
4.运用普遍

4.AS集成ic界定与特性

界定﹕
AS 集成ic﹕Absorbable structure (消化吸收衬底）集成ic﹔历经近四十年的发展趋势勤奋﹐中国台湾LED光学业内针对该种类集成ic的产品研发﹑制造﹑市场销售处在完善的环节﹐各大企业在这里领域的产品研发水准基本上处在同一水准﹐差别并不大.
内地集成ic加工制造业发展比较晚﹐其色度及靠谱度与中国台湾业内也有一定的差别﹐在这儿大家所谈的AS集成ic﹐专指UEC的AS集成ic﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等

特性﹕
1. 四元集成ic﹐选用 MOVPE加工工艺制取﹐色度相对性于基本集成ic要亮
2. 信任性优质
3. 运用普遍

发光二极管芯片材料磊晶类型

1、LPE：Liquid Phase Epitaxy(高效液相磊晶法) GaP/GaP

2 、VPE：Vapor Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaAsP/GaAs

3 、MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机化学金属材料液相磊晶法) AlGaInP、GaN

4 、SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异形构造)GaAlAs/GaAs

5 、DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure， (双异形构造) GaAlAs/GaAs

6、 DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure， (双异形构造) GaAlAs/GaAlAs

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