(1) 漏源击穿电压UDS：抉择了功率MOSFET的最高作业电压。
(2) 栅源击穿电压UGS ：表征功率MOSFET栅源之间能接受的最高电压。该参数很首要：由于人体常常带有高压静电，所以在触摸MOS型器材，包含电力MOSFET、通常MOSFET、MOS型集成电路时，能够先用手触摸一下接地的导体，将身体的静电放掉，不然简略将GS间的绝缘层击穿。别的，在用烙铁焊MOS型器材时，应将烙铁加热后，拔下电源插座，再焊器材。
(3) 漏极最大电流ID：表征功率MOSFET的电流容量。通常厂家给定的漏极直流（额外）电流ID 是外壳温度为25度时的值，所以要思考裕量，通常为3-5倍。
(4) 翻开电压UT：又称阈值电压，指功率MOSFET流过必定量的漏极电流时的最小栅源电压。
(5) 通态电阻Ron：通态电阻Ron是指在断定栅源电压UGS下，功率MOSFET处于恒流区时的直流电阻，是影响最大输出功率的首要参数。
(6) 极间电容：功率MOSFET的极间电容是影响其开关速度的首要要素。其极间电容分为两类；一类为CGS和CGD，它们由MOS构造的绝缘层构成的，其电容量的巨细由栅极的几许形状和绝缘层的厚度抉择；另一类是CDS，它由PN构构成，其数值巨细由沟道面积和有关结的反偏程度抉择。
通常出产厂家供给的是漏源短路时的输入电容Ci、共源极输出电容Cout及反响电容Cf，它们与各极间电容联络表达式为
Ci＝CGS＋CGD Cout＝CDS＋CGD Cf＝CGD
显着，Ci﹑Cout和Cf均与漏源电容CGD有关。

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