下面咱们从器材对触发信号波形的恳求、开关频率、单双极、首要优、缺陷方面思考，七种可控开关器材BJT、SCR、GTO、P-MOSFET、IGBT、MCT、SIT。

　　BJT：电流型全控器材；正继续基极电流操控注册，基极电流为0则关断；开关频率适中；双极；首要长处：通态压降小，通态损耗小；首要缺陷：驱动功率大，频率低。

　　SCR：电流型半控器材；正脉冲门极电流操控注册，触发信号不能操控开断；开关频率低；双极；首要长处：通态压降小，通态损耗小；首要缺陷：驱动功率大，频率低。

　　GTO：电流型全控器材；正脉冲门极电流操控注册，负脉冲门极电流（较大）操控关断；开关频率低；双极；首要长处：通态压降小，通态损耗小；首要缺陷：驱动功率大，频率低。

　　P-MOSFET：电压型全控器材；正继续栅极电压操控注册，负继续栅极电压操控并坚持关断；开关频率高；单极；首要长处：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简略，作业频率高；首要缺陷：通态压降大（通态损耗大），电流、电压额外低。

　　IGBT：电压型全控器材；正继续栅极电压操控注册，负继续栅极电压操控并坚持关断；开关频率较高；双极；首要长处：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简略，作业频率高；首要缺陷：通态压降大（通态损耗大）。

　　MCT：电压型全控器材；正脉冲电压操控注册，负脉冲电压操控关断；开关频率较高（低于IGBT）；双极；首要长处：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简略，作业频率高；首要缺陷：通态压降大（通态损耗大）。

　　SIT：电压型全控器材；继续电压操控断、通；开关频率高；单极；首要长处：输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简略，作业频率高；首要缺陷：通态压降大（通态损耗大）。

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