．擎住效应

如前所述，在IGBT管内存在一个由两个晶体管构成的寄生晶闸管，一同P基区内存在一个别区电阻Rbr，跨接在N+PN晶体管的基极与发射极之间，P基区的横向空穴电流会在其上发作压降，在J3结上构成一个正向偏置电压。若IGBT的集电极电流IC大到必定程度，这个Rbr上的电压足以使N+PN晶体管注册，经过连锁反响，可使寄生晶闸管导通，然后IGBT栅极对器材失掉操控，这便是所谓的擎住效应。它将使IGBT集电极电流增大，发作过高功耗致使器材损坏。

擎住景象有静态与动态之分。静态擎住指通态集电极电流大于某临界值ICM后发作的擎住景象，对此规矩有IGBT最大集电极电流ICM的绑缚。动态擎住景象是指关断进程中发作的擎住景象。IGBT关断时，MOSFET结构有些关断速度很快，J2结的反压活络树立，反压树立速度与IGBT所受重加dUCE/dt巨细有关。dUCE/dt越大，J2结反压树立越快，关断越活络，但在J2结上致使的位移电流CJ2·（dUCE/dt）也越大。此位移电流流过体区电阻Rbr时可发作足以使N+PN管导通的正向偏置电压，使寄生晶闸管注册，即发作动态擎住景象。由于动态擎住时所容许的集电极电流比静态擎住时小，故器材的ICM应按动态擎居处容许的数值来挑选。为了防止发作擎住景象，运用中应确保集电极电流不跨过ICM，或许增大栅极电阻RG以减缓IGBT的关断速度，减小重加dUCE/dt值。总归，运用中有必要防止发作擎住效应，以确保器材的安全。

．安全作业区

注册与关断时，均具有较宽的安全作业区。IGBT注册时对应正向偏置安全作业区（FBSOA），如图1a）所示。它是由防止动态擎住而断定的最大集电极电流ICM、器材内P+NP晶体管击穿电压断定的最大容许集射电极电压UCE0、以及最大容许功耗线所框成。值得指出的是，由于丰满导通后集电极电流IC与集射极间电压UCE无关，其巨细由栅极电压UG挑选（图1-31a）），故可经过操控UG来操控IC，进而防止擎住效应发作，因而还可断定出与最大集电极电流ICM相应的最大栅极电压UGM这个参数。

） FBSOA b） RBSOA

图1 IGBT的安全作业区

关断时所对应的为反向偏置安全作业区（RBSOA），如图1b）所示。它是跟着关断时的重加电压上升率dUCE/dt改动，dUCE/dt越大，越易发作动态擎住效应，安全作业区越小。通常能够经过挑选恰当栅极电压UG和栅极驱动电阻RG来操控dUCE/dt，防止擎住效应，拓宽安全作业区。

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