[3]电流拓宽系数β是晶体三极管的首要参数之一，是指集电极电流Ic的改动量与基极电流Ib的改动量之比，反映了三极管的拓宽才调。如图所示，当Ib从40μA上升到60μA时，相应的Ic从6mA上升到9mA，其β=（9-6）×十3/（60-40）=150。
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[4]特征频率fT是晶体三极管的另一首要参数。当作业频率跨过必定值时，三极管的β值开端降低。β值降低到1时所对应的频率即为特征频率fT。
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[5]晶体三极管具有三根管脚，别离是：基极b、发射极e和集电极c，运用中应辨认了解。
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[6]晶体三极管的根柢作业原理如图示（以NPN型管为例）。当给基极（输入端）输入一个较小的基极电流Ib时，其集电极（输出端）将按份额发作一个较大的集电极电流Ic，这个份额便是三极管的电流拓宽系数β，即Ic=βIb。集电极电流和发射极电流受基极电流的操控，所以晶体三极管是电流操控型器材。
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[7]查看晶体三极管时，万用表置于“R×1k”挡。先用黑表笔接某一管脚，红表笔别离接别的两管脚，测得两个电阻值。再将黑表笔换接另一管脚，重复从跋涉程，直至测得两个电阻值都很小（NPN管）或都很大（PNP管），这时黑表笔所接的是基极b。
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[8]接着，关于NPN管，用红表笔接基极以外的一管脚，左手拇指与中指将黑表笔与基极捏在一同，一重用左手食指触摸余下的管脚，这时表针应向右摇晃。将基极以外的两管脚对调后再测一次。两次丈量中，表针摇晃崎岖较大的那一次，黑表笔所接为集电极，红表笔所接为发射极。表针摇晃崎岖越大，阐明被测三极管的β值越大。关于PNP管则对调红、黑表笔丈量。
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[9]晶体三极管最根柢的效果是拓宽。图示为晶体三极管拓宽电路，输入信号Ui经C1加至三极管VT基极，使其集电极电流相应改动，并在集电极负载电阻Rc上发作压降，经C2输出。由于输出电压等于电源电压与Rc上压降的差值，因而输出电压Uo与输入电压Ui相位相反。R1、R2为VT的基极偏置电阻。
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[十]晶体三极管具有开关效果。图示为驱动发光二极管的电子开关电路，开关管VT的基极由脉冲信号CP操控，当CP=“1”时，VT导通，发光二极管VD发光；当CP=“0”时，VT截止，发光二极管VD暂停。R为限流电阻。
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[11]复合管是由两个或更多三极管按必定规矩组合在一同而成。达林顿管即为一种复合管，图示为两个NPN型三极管构成的达林顿管，等效为一个高β值的晶体三极管，β=β1·β2。达林顿管也可由两个PNP管，或一个PNP管和一个NPN管构成。
[12]带阻三极管是一种内部包富含一个或几个电阻的晶体三极管，这些年在家用电器和音像设备中运用较多。图示为较多见的两种带阻三极管内部电路构造。
[13]场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种运用场效应原理作业的半导体器材。和通常双极型晶体管比照照，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态计划大、功耗小、易于集成等特征，得到了越来越广泛的运用。场效应管的文字符号也为“VT”，图形符号如图所示。
[14]场效应管通常具有3个极（双栅管有4个极）：栅极G、源极S和漏极D，它们的功用别离对应于双极型晶体管的基极b、发射极e和集电极c。由于场效应管的源极S和漏极D是对称的，实习运用中能够沟通。
[15]场效应管的根柢作业原理如图示（以结型N沟道管为例）。由于栅极G接有负偏压UG，在G邻近构成耗尽层。当负偏压UG增大时，耗尽层增大，沟道减小，漏极电流ID减小；当负偏压UG减小时，耗尽层减小，沟道增大，漏极电流ID增大。漏极电流ID受栅极电压的操控，所以场效应管是电压操控器材。
[16]查看结型场效应管时，万用表置于“R×1k”挡，用两表笔别离丈量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻持平，均为数kΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可沟通），余下的一个管脚即为栅极G。
[17]估测结型场效应管的拓宽才调：万用表置于“R×十0”挡，两表笔别离接漏极D和源极S，然后用手捏住栅极G（写入人体感应电压），表针应向左或向右摇晃。表针摇晃崎岖越大阐明场效应管的拓宽才调越大。假定表针不动，阐明该管已坏。
[18]场效应管很高的输入阻抗十分适协作阻抗改换。图示为场效应管源极输出器，其特征是输入阻抗Zi很高、输出阻抗Zo较低，常用于多级拓宽器的输入级作阻抗改换。
[19]场效应管能够用作可变电阻。图示为录音机主动电平操控电路，当输入信号Ui增大致使Uo增大时，由Uo经VD负向整流后构成的栅极偏压-UG的必定值也增大，使场效应管VT的等效电阻增大，R1与其的分压比减小，使进入拓宽器的信号电压减小，终究使Uo坚持根柢不变。
[20]场效应管能够便本地用作恒流源，如图所示，假定漏极电流ID因故增大，源极电阻RS上构成的负栅压也随之增大，迫使ID回落，反之亦然，使ID坚持安稳。安稳电流ID=|UP|/RS，式中，UP为场效应管夹断电压。
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