首要参数
批改用来标明二极管的功用好坏和适用计划的技能方针，称为二极管的参数。
纷歧样类型的二极管有纷歧样的特性参数。对初专家而言，有必要了解以下几个首要参数：
1、最大整流电流IF是指二极管长时刻接连作业时，容许经过的最大正向均匀电流值，其值与PN结面积及外部散热条件等有关。由于电流转过管子时会使管芯发热，温度上升，温度跨过容许极限（硅管为141分配，锗管为90分配）时，就会使管芯过热而损坏。所以在规矩散热条件下，二极管运用中不要跨过二极管最大整流电流值。例如，常用的IN4001－4007型锗二极管的额外正向作业电流为1A。
2、最高反向作业电压Udrm加在二极管两头的反向电压高到必定值时，会将管子击穿，失掉单导游电才调。为了确保运用安全，规矩了最高反向作业电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为十00V。
3、反向电流Idrm反向电流是指二极管在常温（25℃）和最高反向电压作用下，流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单独导游电功用越好。值得留神的是反向电流与温度有着挨近的联络，大概温度每添加十℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250uA，温度添加到35℃，反向电流将上升到500uA，依此类比，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不只失掉了单独导游电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP十型硅二极管，25℃时反向电流仅为5uA，温度添加到75℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的安稳性。
4.动态电阻Rd二极管特性曲线静态作业点Q邻近电压的改动与相应电流的改动量之比。
5最高作业频率FmFm是二极管作业的上限频率。因二极管与PN结相同，其结电容由势垒电容构成。所以Fm的值首要取决于PN结结电容的巨细。假定跨过此值。则单导游电性将受影响。
6，电压温度系数αuzαuz指温度每添加一摄氏度时的安稳电压的相对改动量。
uz为6v分配的稳压二极管的温度安稳性较好12参数符号批改
CT---势垒电容
Cj---结（极间）电容， ；标明在二极管两头加规矩偏压下，锗检波二极管的总电容
Cjv---偏压结电容
Co---零偏压电容
Cjo---零偏压结电容
Cjo/Cjn---结电容改动
Cs---管壳电容或封装电容
Ct---总电容
CTV---电压温度系数。在测验电流下，安稳电压的相对改动与环境温度的必定改动之比
CTC---电容温度系数
Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测验电流）。锗检波二极管在规矩的正向电压VF下，经过极间的电流；硅整流管、硅堆在规矩的运用条件下，在正弦半波中容许接连经过的最高文业电流（均匀值），硅开关二极管在额外功率下容许经过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
IF（AV）---正向均匀电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额外功率下，容许经过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IH---安稳电流、坚持电流
。Ii--- ；发光二极管起辉电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。在特定线路中规矩频率和规矩电压条件下所经过的作业电流
IF(ov)---正向过载电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
ID---暗电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IEM---发射极峰值电流
IEB十---双基极单结晶体管中发射极与榜首基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
ICM---最大输出均匀电流
IFMP---正向脉冲电流
IP---峰点电流
Ⅳ---谷点电流
IGT---晶闸管操控极触发电流
IGD---晶闸管操控极不触发电流
IGFM---操控极正向峰值电流
IR（AV）---反向均匀电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规矩值时，所经过的电流；硅开关二极管两头加反向作业电压
VR时所经过的电流；稳压二极管在反向电压下，发作的漏电流；整流管在正弦半波最高反向作业电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
IRR---晶闸管反向重复均匀电流
IDR---晶闸管断态均匀重来电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
Irp---反向康来电流Iz---安稳电压电流（反向测验电流）。测验反向电参数时，给定的反向电流
Izk---稳压管膝点电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规矩条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中容许接连经过锗检波二极管的最高文业电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管容许经过的电流
iF---正向总瞬时电流
iR---反向总瞬时电流
ir---反向康来电流
Iop---作业电流
Is---稳流二极管安稳电流
f---频率
n---电容改动指数；电容比Q---优值（质量要素）
δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
PB---承受脉冲焚毁功率PFT
（AV）---正导游通均匀耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正导游通总瞬时耗散功率
Pd---耗散功率
PG---门极均匀功率
PGM---门极峰值功率
PC---操控极均匀功率或集电极耗散功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PM---额外功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Pomax---最大输出功率
Psc---接连输出功率
PSM---不重复浪涌功率
PZM---最大耗散功率。在给定运用条件下，稳压二极管容许承受的最大功率
RF（r）---正向微分电阻。在正导游通时，电流随电压指数的添加，呈现显着的非线性特性。在某一正向电压下，电压添加纤细量△V，正向电流相应添加△I，则△V/△I称微分电阻
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RE---射频电阻
RL---负载电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth----热阻R(th)
ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)
jc---结到壳的热阻r ；
δ---衰减电阻
r(th)---瞬态电阻
Ta---环境温度
Tc---壳温
td---推延时刻
tf---下降时刻
tfr---正向康复时刻
tg---电路换向关断时刻
tgt---门极操控极注册时刻
Tj---结温
Tjm---最高结温
ton---注册时刻
toff---关断时刻
tr---上升时刻
trr---反向康复时刻
ts---存储时刻
tstg---温度抵偿二极管的贮成温度
a---温度系数
λp---发光峰值波长△ ；
λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或功率
VB---反向峰值击穿电压
Vc---整流输入电压
VB2B1---基极间电压
VBE十---发射极与榜首基极反向电压
VEB---饱满压降
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
△VF---正向压降差
VDRM---断态重复峰值电压
VGT---门极触发电压
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VF（AV）---正向均匀电压Vo---沟通输入电压
VOM---最大输出均匀电压
Vop---作业电压Vn---基地电压Vp---峰点电压VR---反向作业电压（反向直流电压）
VRM---反向峰值电压（最高测验电压）
V（BR）---击穿电压Vth---阀电压（门限电压、死区电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向作业峰值电压
V v---谷点电压
Vz---安稳电压△Vz---稳压计划电压增量
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管安稳电流电压
av---电压温度系数
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压