集成电路通常是在一块厚0.2～0.5mm、面积约为0.5mm的P型硅片上经过平面技能制做成的。这种硅片（称为集成电路的基片）上能够做出包括为十个（或更多）二极管、电阻、电容和联接导线的电路。
一、集成电路中元器材的特征
与分立元器材比照，集成电路元器材有以下特征：
1. 单个元器材的精度不高，受温度影响也较大，但在同一硅片上用一样技能制作出来的元器材功用比照一同，对称性好，相邻元器材的温度纷歧样小，因此同一类元器材温度特性也根柢一同；
2. 集成电阻及电容的数值方案窄，数值较大的电阻、电容占用硅片面积大。集成电阻通常在几十Ω～几十 kΩ方案内，电容通常为几十pF。电感如今不能集成；
3. 元器材功用参数的必定过错比照大，而同类元器材功用参数之比值比照准确；
4. 纵向NPN管β值较大，占用硅片面积小，简略制作。而横向PNP管的β值很小，但其PN结的耐压高。
二、集成电路的方案特征
因为制作技能及元器材的特征，仿照集成电路在电路方案思维上与分立元器材电路比照有很大的纷歧样。
1. 在所用元器材方面，尽或许地多用晶体管，少用电阻、电容；
2. 在电路办法上许多选用差动拓宽电路与各种恒流源电路，级间耦合选用直接耦合办法；
3. 尽或许地运用参数赔偿原理把对单个元器材的高精度恳求转化为对两个器材有一样参数过错的恳求；尽量挑选特性只受电阻或其它参数比值影响的电路

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