1、可控硅元件的构造
不论可控硅的外形怎么，它们的管芯都是由P型硅和N型硅构成的四层P1N1P2N2构造。见图1。它有三个PN结（J1、J2、J3），从J1构造的P1层引出阳极A，从N2层引出阴级K，从P2层引出操控极G，所以它是一种四层三端的半导体器材。

图1、可控硅构造暗示图和符号图
2、作业原理
可控硅是P1N1P2N2四层三端构造元件，共有三个PN结，剖析原理时，能够把它看作由一个PNP管和一个NPN管所构成，其等效图解如图1所示

当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于拓宽状况。此刻，假定从操控极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2拓宽，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此刻，电流ic2再经BG1拓宽，所以BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反响，使ib2不断增大，如此正向馈循环的作用，两个管子的电流剧增，可控硅使丰满导通。
因为BG1和BG2所构成的正反响作用，所以一旦可控硅导通后，即便操控极G的电流不见了，可控硅依然能够坚持导通状况，因为触发信号只起触发作用，没有关断功用，所以这种可控硅是不行关断的。
因为可控硅只需导通和关断两种作业状况，所以它具有开关特性，这种特性需求必定的条件才调转化，此条件见表1

可控硅的根柢伏安特性见图2

图2 可控硅根柢伏安特性
（1）反向特性
当操控极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。此刻只能流过很小的反向丰满电流，当电压进一步跋涉到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流活络添加，图3的特性开端曲折，如特性OR段所示，曲折处的电压URO叫“反向起色电压”。此刻，可控硅会发作耐久性反向

（2）正向特性
当操控极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与通常PN结的反向特性类似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状况，当电压添加，图3的特性发作了曲折，如特性OA段所示，曲折处的是UBO叫：正向起色电压

图4 阳极加正向电压
因为电压添加到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发作雪崩倍增效应，在结区发作许多的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区经过J1结写入N1区的空穴复合，相同，进入P2区的空穴与由N2区经过J3结写入P2区的电子复合，雪崩击穿，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能悉数复合掉，这么，在N1区就有电子堆集，在P2区就有空穴堆集，作用使P2区的电位添加，N1区的电位降低，J2结变成正偏，只需电流稍添加，电压便活络降低，呈现所谓负阻特性，见图3的虚线AB段。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，可控硅便进入正导游电状况---通态，此刻，它的特性与通常的PN结正向特性类似，见图2中的BC段
2、触发导通

图5 阳极和操控极均加正向电压

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