共发射极接法三极管的特性曲线，即

　　其间， iB是输入电流，vBE是输入电压，加在B、E两电极之间；iC是输出电流，vCE是输出电压，从C、E两电极取出。
　　共发射极接法的供电电路和电压-电流联络如图1所示。

图1 共发射接法的电压电流联络

图2

　　1．输入特性曲线
　　简略地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现谈论iB和vBE之间的函数联络。由于有集电结电压的影响，它与一个独自的PN结的伏安特性曲线纷歧样。为了扫除vCE的影响，在谈论输入特性曲线时，应使vCE＝const(常数)。vCE的影响能够用三极管的内部的反响效果阐明，即vCE对iB的影响。

图3

　

共发射极接法的输入特性曲线见图2，其间vCE＝0V的那一条恰当于发射结的正向特性曲线。当vCE≥1V时， vCB＝vCE－ vBE＞0，集电结已进入反偏状况，开端搜集电子，且基区复合削减， IC / IB增大，特性曲线将向右略微移动一些。但vCE再添加时，曲线右移很不显着。曲线的右移是三极管内部反响所构成的，右移不显着阐明内部反响很小。
　　输入特性曲线的分区：死区、非线性区、线性区。

　　2．输出特性曲线
　　共发射极接法的输出特性曲线如图3所示，它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其间任何一条加以阐明。当vCE＝0V时，因集电极无搜集效果，ic＝0。当vCE悄然增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如vCE＜1 V；vBE＝0.7 V； vCB＝ vCE－vBE≤0.7V 。集电区搜集电子的才调很弱，ic首要由vCE挑选。当vCE添加到使集电结反偏电压较大时，如vCE ≥1V，vBE≥0.7 V，运动到集电结的电子根柢上都能够被集电区搜集，尔后vCE再添加，电流也没有显着的添加，特性曲线进入与vCE轴根柢平行的区域 (这与输入特性曲线随vCE增大而右移的要素是一同的) 。

　　输出特性曲线能够分为三个区域：
　　丰满区--iC受vCE显着操控的区域，该区域内vCE的数值较小，通常vCE＜0.7 V(硅管)。此刻发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。
　　截止区--iC挨近零的区域，恰当iB＝0的曲线的下方。此刻，发射结反偏，集电结反偏。
　　拓宽区--iC平行于vCE轴的区域，曲线根柢平行等距。此刻，发射结正偏，集电结反偏，电压大于0.7 V分配(硅管)

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