（一） 构造和符号
　　在一块极薄的硅或锗基片上制作两个PN结就构成三层半导体，从三层半导体上各自接出一根导线，便是三极管的三个电极，再封装在管壳里就制成了晶体三极管。
　　三个电极别离叫做发射极e、基极b、集电极c，对应的每层半导体别离称为发射区、基区、集电区。发射区与基区接壤处的PN结叫发射结，集电区与基区接壤处的PN结叫集电结。依据基区资料是P型仍是N型半导体，三极管有NPN型和PNP型两种组合型式。它们的根柢构造如图（a）所示。
　　三极管的文字符号为"V"，图形符号如图（b）和（c）所示。两种符号的差异在于发射极箭头的方向纷歧样，箭头方向标明发射结加正向电压时的电流方向。
图2是多见的几种国产三极管封装和外形。功率巨细纷歧样的三极管有着纷歧样的体积和封装办法，在晶体管手册中有详细阐明。

图1 体管晶体三极管的构造和符号
a) 构造 b) 符号 c) 大功率管
外壳集电极

　　前期出产的三极管有的选用玻璃封装；有些超小型三极管选用陶瓷环氧封装；绝大大都 大、中、小型三极管选用金属外壳封装；大功率晶体三极管管壳是集电极，通常作成扁平形状并有设备螺钉孔，有的大功率三极管的集电极制成螺栓形状，这么能使三极管和散热器联接一体便于散热。这些年不断添加的中、小功率三极管选用硅酮塑料封装。
　　三极管的制作技能较多，图2-3和图2-4别离是用合金技能峻峭面技能制作的三极管构造暗示图。不管哪种构造，都有必要具有以下一起特征：
　　1. 发射区的掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
　　2. 基区都做得很薄（约几到几十微米），集电结面积制作得比发射结面积大。
　　由于在构造上有这些特征，三极管并不等于两个二极管的简略组合，也不能将发射极和集电极倒置运用。

图2 几种晶体三极管的外形和封装

图3 合金法技能制作的晶体三极管管芯

图4 平面技能制作的晶体三极管管芯

　　（二） 类型
　　类型各种三极管都有自个的类型，依照国家规范GB249－74的规矩，国产三极管的类型也是由五个有些构成。表2-1中第二、第三档所列的是三极管多见类型，对其含义需搞了解。
　　2. 分类通常按以下几个方面进行分类：
　　（1） 依据制作资料的纷歧样，三极管分为锗管与硅管两类。它们的特性迥然纷歧样。硅管受温度影响较小，作业较安稳，因此在通讯设备上常用硅管。
　　（2） 依据三极管内部根柢构造，分为NPN型和PNP型两类。如今我国出产的硅管大都是NPN型（也有少数PNP型），通常选用平面技能制作。锗管大都是PNP型（也有少数NPN型），通常选用合金技能制作。
　　（3） 依据作业频率纷歧样，可分为高频管（作业频率等于或大于3兆赫）和低频管（作业频率低于3兆赫）。
　　（4） 依据用处的纷歧样，分为通常拓宽三极管和开关三极管。
　　（5） 依据功率纷歧样，分为小功率管（耗散功率＜1瓦＝和大功率管（耗散功率≥1瓦）。

表1 晶体三极管的类型

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