结型场效应管的构造和符号
结型场效应管是运用半导体内的电场效应作业的,分N沟道和P沟道两种。在一块N型半导体的两头别离涣散出两个P型区,构成两个PN结,将两个P型区联接后构成一个电极G称为栅极,从N型半导体的上下两头各引出一个电极,其间S称为源极,D称为漏极,因为D、S间存在电流转道,故称为N沟道结型场效应管。P沟道结型场效应管的构造与N沟道型相似,它们的构造和电路符号如图所示。
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