晶体二极管首要是由一个PN构构成，因而它应当与PN结具有相同的特性，即具有单导游电性。下面介绍加在二极管两头的电压和流过二极管的电流之间的联络。即二极管的伏安特性及二极管首要参数。

如下图所示为测验二极管伏安特性的原理电路，改动可变电阻的巨细，就能够测出纷歧样数值的端电压下贱过二极管的电流，然后得到下右图所示的二极管伏安特性曲线。其间曲线右上方是正向特性，是由下图a所示电路测得，左下方是方向特性，是由下图b所示电路测得。

如下图所示的两条曲线，是较为典型的锗和硅二极管的伏安特性曲线，曲线可分三有些来阐明。

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正向特性：当外加正向电压较小时，正向电流很小，二极管呈现出较大的电阻（图中OA段和OA’段）；正向电压跨过某一数值（UD称为正本电压或死区电压，硅管为0.6到0.8伏，锗管委0.2伏），电流跟着电压添加得很快（图中的AB段和A’B'段）。但添加的电流不能跨过二极管容许电流，不然二极管会被烧坏。

反向特性：加上方向电压时，只需很小的反向电流，并且它根柢上不随电压改动，如曲线上Cd段和C’d'段，这种电流称为反向丰满电流。反向丰满电流跟着温度添加而添加很快。

反向击穿电压：当反向电压跨过某一数值的时分，反向电流俄然陡增，这种景象称为反向击穿，如曲线e和e’以下的有些。对应于e点的电压称为击穿电压。

最大整流电路IM：它是二极管长时刻运用时容许经过二极管的最大正向均匀电流值。

最高反向作业电压：最高反向作业电压为反向击穿电压的1/2倍（二分之一），而有些小容量二极管，其最高反向作业电压为击穿电压的2/3（二分之三）分配。

反向电流：在给定的反向电压下，经过二极管的反向电流值。它是表征二极管单导游电功用的一个首要方针。反向电流小，单导游电功用越好。

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