场效应晶体管（Field-Effect Transistor ,FET）是运用输入回路的电场效应来操控输出回路电流的一种半导体器材。由于它仅靠半导体中的大都载流子导电，又称单极型晶体管。场效应管按构造，可分为结型和绝缘栅型两大类。绝缘栅型场效应晶体管的栅极与源极、栅极与漏极之间均选用SiO2绝缘层阻隔，故有绝缘栅型之称。或许按其金属-氧化物-半导体的资料构成，可称其为MOS管。

绝缘栅型场效应晶体管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。N沟道绝缘栅型场效应晶体管的构造如图1所示。

(a)耗尽型	(b)增强型
图1 N沟道绝缘栅型场效应晶体管的构造

N沟道绝缘栅型场效应晶体管的构造如图1所示。在一块掺杂浓度低的P型半导体上，涣散两个高掺杂的N+型半导体区，并引出两个电极，别离称为源极S和漏极D。在两个N+区间的P型半导体氧化一层极薄的SiO2绝缘层，在SiO2绝缘层上制造一层金属铅，引出电极，作为栅极G。

如图1(a)所示，在制造N沟道MOS管时，假定在二氧化硅绝缘层中掺入很多正离子，就会在两个N+型区之间的P型衬底外表构成满意的电场，P型衬底中的空穴被架空到远端，衬底中的电子被招引到外表，构成一个N型薄层，将两个N+型区即漏极和源极交流。这个N+型薄层称为N型导电沟道，又由所以在P型衬底中构成的而称为反型层。这种MOS管在制造时导电沟道现已构成，称为耗尽型MOS管。

如图1(b)所示，假定导电沟道不是预先在制造时构成的，而是运用外加栅极-源极电压构成电场发作的，则此类称为增强型MOS管。当UGS>0时，G和S像一个平板电容器的两个极板，SiO2和P型衬底好像电容中的介质，G-S间加正向电压后，其间便构成一个电场，在此电场的作用下，P型衬底中的空穴被架空到远端，衬底中的电子被招引到外表，构成一个N型导电沟道，当UGS增大时，感生负电荷Q负增多；当UGS增大到某一数值比如(UGS=UTH)时，Q负满意多，刚好将两个N+区联连续通，这时只需UDS≠0，D-S间就会导通，即ID=0。假定UGS继续增大，ID随之增大；相反，假定UGS减小，ID随之减小。假定在D引线上串入一个电阻RD，则ID就会在RD上发作压降，并跟着UGS的改动而改动。显着，这是一个受电压操控的晶体管。

P沟道MOS管是因在N型衬底中生成P型反型层而得名。其构造和作业原理与N沟道MOS管似。仅仅运用的栅-源和漏-源电压极性与N沟道MOS管相反。各种场效应管的图形符号如图2所示。

(a) N沟道耗尽型	(b)N沟道增强型	(c)P沟道耗尽型	(d)P沟道增强型
图2 MOS管的图形符号

由于MOS管作业时只需一种极性的载流子(N沟道是电子，P沟道是空穴)参加导电，故亦称为单极型晶体管。与双极型晶体管的共发射极接法相似，MOS管选用共源接法，如图3所示。

图3 共源极接法电路

当UGS上升时，感生负电荷Q负增多；当UGS增到某个值比如UGS=UTH时，Q负满意多，刚好将两N+区连通，这时只需UDS≠0，D-S间就会导通，即ID≠0。假定UGS增大，ID也就越大。假定在D引线上串一个电阻RD，则ID就会在RD上发作压降，并跟着UGS的改动而改动。所以场效应晶体管是电压操控的电流源器材。

MOSFET与BJT都是半导体晶体管，MOSFET的源极、漏极、栅极别离恰当于BJT的发射极、集电极、基极。BJT的集电极电流IC受基极电流IB的操控，是一种电流操控器材；而MOSFET的漏极电流ID受栅-源电压UGS的操控，是一种电压操控元件。但与BJT比照，MOSFET具有输入电阻大、噪声低、热安稳性好、抗辐射才调强、耗电少等长处。这些长处使之从20世纪末60时代一诞生就广泛运用于各种电子电路中。别的，MOSFET的制造技术比照简略，占用芯片面积小，格外适用于制造大方案集成电路。

与BJT相似，MOSFET不只能够经过UGS操控ID完毕对信号的拓宽作用，而且也能够作为开关元件，经过UGS操控其导通或差异，广泛用于开关电路和脉冲数字电路中。

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