．构造

的根柢构造如图1a）所示，与P-MOSFET构造十分相似，恰当于一个用MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。细心查询发现其内部实习上包含了两个双极型晶体管P+NP及N+PN，它们又组构成了一个等效的晶闸管。这个等效晶闸管将在IGBT器材运用中致使一种“擎住效应”，会影响IGBT的安全运用。

） 构造暗示图 b） 等效电路 c） 符号

图 IGBT暗示图

．作业原理

的等效电路如图1b）所示，是以PNP型厚基区GTR为主导元件、N沟道MOSFET为驱动元件的达林顿电路构造器材，Rdr为GTR基区内的调制电阻。图1c）则是IGBT的电路符号。

的注册与关断由栅极电压操控。栅极上加正向电压时MOSFET内部构成沟道，使IGBT高阻断态转入低阻通态。在栅极加上反向电压后，MOSFET中的导电沟道消除，PNP型晶体管的基极电流被堵截，IGBT关断。

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