晶体管的特性除用特性曲线标明外，还可用一些数据来阐明，这些数据即是晶体管的参数。晶体管的参数也是计划电路、选用晶体管的依据。首要参数有下面几个：

1、电流拓宽系数β(—)，β

如上所述，当晶体管接成共发射极电路时，在静态(无输入信号)时集电极电流与

基极电流的比值称为共发射极静态电流(直流)拓宽系数

当晶体管作业在动态(有输入信号)时，基极电流的改动量为，它致使集电极电流的改动量为。与的比值称为动态电流(沟通)拓宽系数

例、从下图(即图)所给出得3DG十0晶体管的输出特性曲线上，核算点处的β(—)；(2)由和两点，核算β。

解：

(1) 在点处，=6V，=40μA=0.04mA ，=1.5mA ，故

(2) 由和两点(=6V)得

由以上可见，β(—)和β的意义是纷歧样的，但在输出特性曲线近于平行等距而且较小的状况下，两者数值较为挨近。往后在核算时，常用这个近似联络。常用晶体管的β值在20 ～200之间。

2、集－基极反向截止电流

是当发射极开路时流经集电结的反向电流，其值很小。在室温下，小功率锗管的约为几微安到几十微安，小功率硅管在1μA以下。越小越好。硅管在温度安稳性方面胜于锗管。

3、集－射极反向截止电流

是当基极开路()时的集电极电流，也称为穿透电流。硅管的约为几微安，锗管的约为几十微安，其值越小越好。

4、集电极最大容许电流

集电极电流跨过必定值时，晶体管的β值要下降。当β值下降到正常数值的2/3时的集电极电流，称为集电极最大容许电流。因而，在运用晶体管时，跨过并纷歧定会使晶体管损坏，但以下降β值为价值。

5、集－射极反向击穿电压

基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大容许电压，称为集－射极反向击穿电压。当电压大于时，-俄然大凹凸上升，阐明晶体管已被击穿。

图 晶体管的安全作业区

6、集电极最大容许耗散功率

由于集电极电流在流经集电结时将发作热量，使结温添加，然后会致使晶体管参数改动。当晶体管因受热而致使的参数改动不跨过容许值时，集电极所耗费的最大功率，称为集电极最大容许耗散功率。

有，，三者一同断定晶体管的安全作业区，如图所示。

以上所议论的几个参数，其间β，，是标明晶体管好坏的首要方针；，，都是极限参数，用来阐明晶体管的运用绑缚。

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