．静态特性

的静态特性首要有输出特性及搬运特性，如图1所示。输出特性表达了集电极电流IC与集电极—发射极间电压UCE之间的联络，分丰满区、拓宽区及击穿区。

的搬运特性标明晰栅极电压UG对集电极电流IC的操控联络。在大有些计划内，IC与UG呈线性联络。

a） 输出特性 b） 搬运特性

图1 IGBT的输出特性和搬运特性

．动态特性

的动态特性即开关特性，如图2所示，其开经进程首要由其MOSFET构造挑选。当栅极电压UG达敞开电压UG（th）后，集电极电流IC活络增加，其间栅极电压从负偏置值增大至敞开电压所需时刻td（on）为注册推迟时刻；集电极电流由10％额外增加至90％额外所需时刻为电流上升时刻tri，故总的注册时刻为ton＝td（on）＋tri。

的关断进程较为杂乱，其间UG由正常15V降至敞开电压UT所需时刻为关断推迟时刻td（off），自此IC初步衰减。集电极电流由90％额外值降低至10％额外所需时刻为降低时刻tfi＝tfi1＋tfi2，其间tfi1对应器材中MOSFET有些的关断进程，tfi2对应器材中PNP晶体管中存贮电荷的不见进程。因为经tfi1时刻后MOSFET构造已关断，IGBT又未接受反压，器材内存贮电荷难以被活络消除，所以集电极电流需较长时刻降低，构成电流拖尾景象。因为此刻集射极电压Uce已树立，电流的过长拖尾将构成较大功耗使结温增加。总的关断时刻则为toff＝td（off）＋tfi。

图2 IGBT的开关特性

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