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电工技术基础 二极管的伏安特性与参数
1. 伏安特性
正向特性：OA：死区；翻开电压：Vth；AB：近似指数规则；BC：近似恒压源；导通电压为Von，二极管正导游电路时，通常要作业在这个区-线性区。
在志向条件下，二极管两头电压和电流联络为：
，其间，IS：反向丰满电流，VT：电压的温度当量，室温下VT
26mV。
正偏时，
，则：
。
阐明，正向电流大概每添加十倍，二极管两头电压只添加60mV。
2.击穿特性
当外加反向电压跨过击穿电压时，反向电流急剧增大，称为反向击穿。
齐纳击穿：外加电场将价电子直接从共价键中拉出来，使电子空穴对增多，电流增大。
雪崩击穿：当电场满意强时，载流子的漂移运动被加快，将中性原子中的价电子“撞”出来，发生新的电子空穴对。构成连锁反响，使电流剧增。齐纳击穿多发生在高掺杂的PN结中雪崩击穿多发生在低掺杂的PN结中4V以下为齐纳击穿,7V以上为雪崩击穿,4--7V可两者都有。
3. 温度特性
温度添加时,反向丰满电流增大,正向电流也增大。温度添加十℃，IS约添加1倍，电压减小25mV。
PN结正向电压具有负温度系数
4. 二极管的电容效应
PN结电压改动将致使结区及结外侧载流子数量(电荷量)的改动，这一效应可用结电容Cj来仿照，
。
正偏时以涣散电容为主(Diffusion),反偏时以垫垒电容为主(Barrier)
(涣散电容)：PN结正偏。
少子浓度散布
多子涣散到对方后，变成对方的少子。因而，结边际有一少子浓度散布曲线。当外加正偏电压增大，浓度散布曲线改动恰当于电荷量改动。
(垫垒电容)：
，PN结反偏。
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