半导体二极管的伏安特性曲线

2017-04-24 15:50分类：电子元器件阅读：

半导体二极管的伏安特性曲线如图1所示。处于榜首象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。

图1 二极管的伏安特性曲线

1. 正向特性
当V＞0，即处于正向特性区域。正向区又分为两段：
当0＜V＜Vth时，正向电流为零，Vth称为死区电压或翻开电压。
当V＞Vth时，初步呈现正向电流，并按指数规则添加。
硅二极管的死区电压Vth＝0.5 V分配，
锗二极管的死区电压Vth＝0.1 V分配。
2. 反向特性
当V＜0时，即处于反向特性区域。反向区也分两个区域：
当VBR＜V＜0时，反向电流很小，且根柢不随反向电压的改动而改动，此刻的反向电流也称反向丰满电流IS。
当V≥VBR时，反向电流急剧添加，VBR称为反向击穿电压。
在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所纷歧样。硅二极管的反向击穿特性比照硬、比照陡，反向丰满电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比照软，过渡比照油滑，反向丰满电流较大。从击穿的机理上看，硅二极管若|VBR|≥7V时，首要是雪崩击穿；若VBR≤4V则首要是齐纳击穿，当在4V～7V之间两种击穿都有，有或许取得零温度系数点。