当uGS=0时，就有导电沟道存在，故而这种管子也归于耗尽型场效应管。

N沟道结型场效应管：
两个P+区基地的N型半导体，在加上正向uDS电压时就有电流流过，故称为N沟道。
（一）作业原理
1. uGS对导电沟道的影响：

栅源级间加反向电压
改动uGS的巨细，就能够改动沟道宽窄，即改动沟道的电阻，然后操控iD的巨细。这与绝缘栅场效应管是相同的。
2. uDS对导电沟道的影响：

漏源级间加正向电压
漏级电位最高，PN结最宽，源级电位最低，PN结最窄。跟着uDS增大，PN结加宽，将发作预夹断。
uDS再增大，夹断区向下翻开。
（二）特性曲线：

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