测验晶体管的一个办法是运用晶体管图示仪。这项技能是半导体厂家和设备厂家用来查看收买的零件。晶体管图示仪是用在方案试验室，大有些技能人员并非必定要用图示仪。

别的一项在制作和方案基地运用的技能是把晶体管放在一个分外设备或测验电路中。这是一种动态测验，由于器材是在实习电压和信号条件下作业的。这种测验办法常常用于反映晶体管拓宽纤细信号的才调的VHF和UHF晶体管的噪音指数丈量。动态测验提示了在信号条件下的功率增益和噪音估量。一些晶体管发作的电子噪音都跨过了纤细信号，这些晶体管噪音指数较差。

有些类型晶体管闪现出功率增益随时刻逐渐衰减,例如，射频功率拓宽器可以运用掩盖式晶管，这些晶体管有跨过十0个独立的发射极，他们或许由于基极-发射极的改动而遭致功率增益逐渐衰减。另一个疑问是湿气，他们可以进入晶体管外壳，使功用逐骤变差。虽然晶体管功用有或许增强，但不具有典型性。

对大大都晶体管都是俄然彻底失效，一个或两个结都或许短路，内部联接或许松动或由于过载而烧穿。这种缺陷很简略查看。大有些坏的晶体管可以通过用欧姆表查看电路或用电压表查看电路来断定。

一个好的晶体管有两个PN结。都能通过欧姆表进行查看，如图十－17所示，一个PNP晶体管可以看作两个具有公共阴极的二极管。基极作为公共阴极。图十－18所示的NPN晶体管可以看作两个具有公共阳极的二极管。假定用欧姆表能查看到两个好的二极管，那么这个晶体管或许是好的。

可以用数字多用表的测二极管功用便本地测验三极管，当没有有关数据时这种办法十分有用。下面咱们介绍用数字表的二极管查看功用区别三极管好坏、并区别NPN与PNP晶体管、锗管仍是硅管、区别E、B、C管脚。

图十－18 PNP三极管的极性

丈量晶体管的榜首步是把数字表开关放置测二极管档，两条表笔联接在晶体管两个管脚之间，假定两条表笔的极性刚好使PN结正向偏置，数字表闪现的是二极管正导游通电压，如图十－19(a)所示0.67V,是一个硅PN结的导通电压，假定闪现0.25V标明这是锗管。将两条表笔对调，如图十－19（b）数字表闪现1，这标明电压超量程，这个PN健旺好的。

假定你恰巧接在一个好的晶体管的发射极和集电极之间，如图十－20，数字表在两种方向上都闪现1。要素是两个PN结串联接在电路中。研讨图十－17和图十－18，证实不管集电极和发射极之间是何种极性，都有一个二极管是反向偏置。

发射极-集电极找到，剩余的一个引脚便是基极。下面的试验可以区别晶体管是NPN型仍是PNP型。如今把数字表的负极连到基极上，把正极顺次和别的两个管脚触摸，如图十－21所示。两个PN结导通电压均为0.6V以上，这个晶体管便是PNP型硅管，且该管是好的。把正极连到基极，把负极顺次和剩余的两个管脚触摸，如图十-21（b）所示，两个方向都是0.67V,那么这个晶体管便是硅NPN型的。

依据前面的试验，咱们已知该管是锗的仍是硅的、是PNP仍是NPN并且现已知道了基极，但还不知道C或E,简直悉数的DMM都带有丈量电流增益的功用，外表上标的hFE,管脚插孔上标有NPN、PNP、E、B、C等信息。用测电流增益法可以区别C、E极，这时先将已断定的基极刺进插孔B,C、E极则用试验断定。如图图十－22（a）那样，假定E、C刺进精确，将闪现一个大的β值，假定E、C刺进不精确，如图图十－22（b）那样将闪现一个很小的β值。这么最多通过两次丈量就能断定C和E。

通过这个试验，你可得到另一条阅历，原理上三极管的C、E间是相同的两个倒接的二极管，但运用时不行倒置，不然将失掉电流拓宽才调。

数字多用体如今十分广泛，在体系调试和缺陷打扫顶用处很广。通过简略的试验，掌握它的运用窍门是一种很首要根柢技能练习。

图十—23闪现用欧姆表查看一个NPN晶体管增益的原理。欧姆表的正极直接连在集电极上。集电极是反向偏置。可是，欧姆表的正极还有必要通过一个大电阻连到基极使基极正向偏置。虽然大的电阻供应很小基极电流，可是假定晶体管有增益，发射极-集电极电流会很大。电流是由欧姆表供应的，欧姆表闪现低电阻。数字表丈量β的原理与图十－23所示的办法相同，仅仅数据闪现办法纷歧样。

晶体管有漏电流。这是由少量载流子运动发作的。晶体管中一种漏电流称为ICBO（符号I代表电流，CB代表集电极—基极结，O通知咱们发射极断开），这便是发射极断开时流过反向偏置的集-基结的电流。另一种晶体管漏电流是ICEO（符号I代表电流，CE代表集电极—发射极，O通知咱们基极断开）。ICEO是最大的漏电流，是ICBO的拓宽办法：

ICEO=β×ICBO

由于基极断开，任何一个漏过反向偏置的集-基PN结的电流的效果都和外部在基极-发射极加电流IB的效果相同。基极断开时，使基极电流无法活动，晶体管会把它当作基极电流加以拓宽：

IC=β×IB

硅晶体管具有很小的漏电流。用欧姆表测验时，欧姆表闪现的阻值为无限大。任何较小的值阐明晶体管或许是坏的。锗晶体管具有大得多的漏电流，反向电阻值比硅管小得多。当查看发射极到集电极这一点很显着。这是由于ICEO是ICBO拓宽β倍的效果。

图十—24闪现了封装在TO—204（早年是TO—3）中的达林顿管。一个达林顿管实习上是为了得到大的电流增益把两个晶体管连在一同。MJ3000理论上最小的hFE为十00，但实习上挨近4000。留心图十—24中左面晶体管的发射极操控右边晶体管的基极。从B端到C端的电流增益大概等于两个晶体管增益之积。假定每个晶体管的电流增益为50：

hFE（BOTH）=hFE（1）×hFE（2）=50×50=2500

用数字表丈量图十—24三极管，或许发作误解。数字表在B、E结的两个方向上都将测得2 kΩ的电阻，但不能说PN结损坏。别的，留心集电极和发射极通常不能区别，由于内部有附加的二极管。假定你了解这些状况，那么数字表测验仍是能区别达林顿管的好坏。

通过数字表丈量可以得到许多信息。不便当当利当当当当利当当利当当利当利当当的是，常常要将晶体管从电路取出。有时技能人员需求查看电路中的晶体管，在线查看常常用别的办法完毕。当电路中的晶体管坏了时，晶体管管脚电压常常会有改动，这时可以用电压丈量发现，这叫做电压剖析。别的一种在线查看是用示波器查看晶体管输入输出信号（信号盯梢）。一个坏的晶体管或许会有输入信号，但没有输出信号。

总归，在线路中查看晶体管可以通过四种办法完毕（还有别的办法）：

1 用一个在线晶体管测验仪；

2 用一块电压表（电压剖析）；

3 用一台示波器（信号盯梢）；

4 用一台信号发作器（信号输入）。

技能人员可以运用其间任何一种办法。在给定状况下，一种技能或许是最快最佳的。电压剖析，信号盯梢，信号输入在后边章节中具体议论。

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