场效应管与双极型晶体管比照：
（１）场效应管中，导电进程是大都载流子的漂移运动，故称为单极型晶体管；双极型晶体管中既有多子的涣散运动又有少子的漂移运动。
（２）场效应管是经过栅极电压uGS来操控漏极电流iD，称为电压操控器材；双极型晶体管是运用基极电流iB（或射极电流iE）来操控集电极电流iC，称为电流操控器材。
（３）场效应管的输入电阻很大；晶体管的输入电阻较小。
（４）场效应管的跨导gm的值较小，双极型晶体管的β值很大。在对等条件下，场效应管的拓宽才调不如晶体管高。
（５）结型场效应管的漏极和源极能够沟通运用，MOS管假定衬底没有和源极接在一同，也可将d、s极沟通运用；双级型晶体管的c和e极沟公例称为倒置作业情况，此刻β将变得十分小。
（6）场效应管可作为压控电阻运用。
(7）场效应管是依托多子导电，因而具有较好的温度安稳性、抗辐射性和较低的噪声。
场效应管还有一些缺陷：如功率小，速度慢等。但由于它技术简略，易于集成，故广泛运用于集成电路。

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