二极管的单导游电性是二极管的根柢特征。二极管还有别的的一些特性，其间有些特性是咱们把握电子电路作业而有必要了解的知识。

电子器材的特功用够用几种办法来描绘，其一：对应几个纷歧样电压值的电流值进部队表。这些值都将在表中很了解的标明出来。还有十分好的办法即是运用图示的办法，它比数据表格更直观。

用得最为一再的即是伏-安特性曲线。电压为横轴，电流为纵轴。图8-19标明出了十0Ω电阻的伏-安特性曲线，原点是两轴线的交点，在这点，电压和电流的值都是零，即通过电阻的电压值和电流值都是零，由欧姆规则有：

I===0A

在横轴为5V 处，曲线通过的点对应纵轴为50mA，通过查询曲线，很简略的找到相应电压的电流值。例如在十V处电流为十0 mA能够用欧姆规则验证：

I===0.1A=十0mA

在图8-19中，通过反向延伸线，咱们能够取得反向电压对应的电流值。反向电压标明为VR而VF就标明正向电压。电压为-5V时，通过电阻的电流为-50mA 负号标明加在电阻两头的电压极性是反向的，因而电流也是反向的。正向电流用IF 标明，而反向电流用IR 标明。

电阻的特性曲线是一条直线，因而，它是一个线性器材。对电阻器特性曲线并不是有必要的，咱们能够通过欧姆规则很简略的得到任何点的数据。

例8-4

图8-19中若电阻值是50Ω，特性曲线是如何的？

I===200mA

曲线将是一条过（0，0），（十，200），（-十，-200）的直线。因而50Ω的电阻对应的曲线的斜率将比十0Ω的电阻对应的曲线斜率要大。

二极管比电阻杂乱得多，它特性曲线不能通过简略的线性方程得到。

数学上能够用下式近似表抵达：当UD ≥十0mV时，近似为：

其间IS称反向饱满电流，UD为二极管端电压，T 为必定温度,，k 是玻尔兹曼常数（8.63×十-5eV/K=1.38×十-23J/K,J为焦耳，式中e电子电荷1.6×十－19库仑），q是电子电荷数。

通常二极管的电流也写成，其间，称为热电压（Thermal Voltage）单位为伏。室温即T=300K时，这是一个首要的数值，往后会常常用到它。

图8-20给出了典型PN-结型二极管的特性曲线。留神，它并不是线性的，电压为零时，它不导通，直到有零点几伏的电压才调够开端导通，这个电压是用来抵耗费尽区的。通常锗管导通要0.2V ，硅管导通要0.6V。图8-20中也标明二极管加反向电压时的状况，跟着反向电压的增大，将有少量的反向电流发作，它是由少量载流子发作的漏电流，通常状况下是很小的。通常IR 轴以μA 作为单位，除非有很大的电压加在二极管两头，不然反向电流就没有啥实习含义了。因而，通常VR轴以十V 或十0V作为一个单位。

图8-21比照了硅管和锗管的特性曲线，咱们很了解看到，锗管导通需求比照小的正向电压，这也是它在低压电路时的利益。别的，能够看到，较硅管而言，给定任何电流，它的电压降较小。由于锗是一种较好的导体，所以流过正向电流时有较小的电阻。可是由于硅管的低报价和低漏电流，大大都状况下运用硅管。

图8-21相同也对硅管和锗管在反偏压状况下进行了比照，在合理的VR时，硅管的漏电流十分低，通常小于十－9A，而锗管体现了较大的漏电流，能够抵达微安级，可是若跨过VR的临界值，硅管的反向电流会有一个迅猛的改动，这即是反向击穿电压点。也被称为雪崩电压。当载流子被加快并取得满意的能量与价电子磕碰，并使他们开释，使得载流子发作“雪崩”。致使反向电流极大的添加。

硅管的雪崩电压为50V-十00V，取决于制造技能。假定反向电流在击穿电压下得不到绑缚，二极管就会损坏。通过运用一个可接受安全电压的二极管。能够避免发作雪崩。

图8-22给出了运用二极管的V-A特性曲线查询温度对二极管的影响。温度用℃标明，电路正常作业的温度计划可所以-50℃到十0℃。在底端水银会凝集，而高端即沸水的温度。军用的电路温度计划是-65℃到125℃。由于这个温度计划很大，因而在材料的挑选、商品的制造进程和查验都有必要分外留神。故军用级的器材比通常的工业和商业商品要贵得多。

通过查询8-22的曲线，咱们能够得出定论，跋涉温度，硅的导电性变好。由于跟着温度的添加，正向压降会减小，它的阻抗也会因而而减小。这一点与硅的负温度效应相符合。

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